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晶体管KSP10参数

极性:NPNPCN(mw)功率:1000mwlc(mA)电流:mABVCBO(V)集电极-基极电压:30VBVCEO(V)集电极-发射极电压:25VBVEBO(V)发射极-基极电压:3VhFE(min)最小放大倍数:60hFE(max)最大放大倍数:

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    KSP10是一种NPN型双极晶体管,广泛应用于各种电子电路中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电路:KSP10常用于开关电路中,能够高效地控制电流的通断。其高电流增益和快速的开关速度使其非常适合用于低功耗的开关应用,例如电源管理和自动控制系统。

    2. 放大电路:在放大电路中,KSP10常用作电流或电压放大器。其稳定的放大特性使其能够在音频放大器和射频放大器中发挥重要作用,提供高质量的信号放大效果。

    3. 驱动电路:KSP10能够用作驱动元件,驱动诸如继电器、LED灯和小型电机等负载。其高电流能力和低饱和电压使其在驱动应用中表现出色,确保负载能够稳定运行。

    4. 脉冲电路:在脉冲电路中,KSP10的快速响应时间使其能够有效地处理高频信号。这使其适用于脉冲发生器、定时器和计数器等应用中,提供精确的脉冲控制和定时功能。

    5. 保护电路:KSP10还可以用作保护电路中的关键元件,保护其他敏感电子元件免受电流过大或电压过高的损害。通过配置适当的电路,KSP10能够在过载情况下迅速响应,切断电流,防止损坏。

    二、参数特点:

    - 高电流增益(hFE):KSP10的电流增益范围通常在100到300之间。这意味着它能够将基极电流大幅放大,提供较大的集电极电流,适合需要高放大倍数的应用。

    - 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))低:KSP10在饱和状态下的集电极-发射极电压通常低于0.3V。这种低饱和电压使得晶体管在开关应用中能以较低的功耗工作,提高了电路的整体效率。

    - 集电极-基极击穿电压(V(BR)CBO):KSP10的集电极-基极击穿电压通常为60V,确保了晶体管在高电压环境下的稳定性和可靠性,适用于需要高耐压的应用场景。

    - 最大集电极电流(IC(max)):KSP10的最大集电极电流通常为1A,能够驱动中等功率的负载。这使得它在需要较大电流驱动能力的电路中表现出色,如驱动继电器和电机。

    - 高频特性:KSP10的截止频率(fT)通常在150MHz左右,这意味着它在高频应用中具有优异的性能,能够处理快速变化的信号,适用于高频放大和脉冲电路。

    综上所述,KSP10凭借其高电流增益、低饱和电压、高击穿电压、较大集电极电流和良好的高频特性,成为电子工程师在设计各种电子电路时的常用选择。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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