收藏壹芯微 | 在线留言| 网站地图

您好!欢迎光临壹芯微科技品牌官网

壹芯微

深圳市壹芯微科技有限公司二极管·三极管·MOS管·桥堆

全国服务热线:13534146615

壹芯微二极管
首页 » 壹芯微产品中心 » 三极管 » 场效应管 » 场效应MOS管IRLR8726TRPBF参数

场效应MOS管IRLR8726TRPBF参数

PD最大耗散功率:75WID最大漏源电流:86AV(BR)DSS漏源击穿电压:30VRDS(ON)Ω内阻:5.8MΩVRDS(ON)ld通态电流:25AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:1.35~2.35VVGS(th)ld(μA)开启电流:50μAGfs(min)S跨导:73SGfs(min)VDS漏源电压:15VGfs(min)lo通态电流:20A

立即咨询


    IRLR8726TRPBF是一款广泛应用于高效功率传输和开关控制领域的N沟道MOSFET。特别适合需要高载流能力和低导通电阻的应用场景。

    一、应用场景

    1.电源管理:IRLR8726TRPBF适用于电源管理系统,广泛应用于DC-DC转换器,实现高效转换。电源电压的调整可以提高整体系统效率。

    2.电动工具驱动:由于IRLR8726TRPBF具有优异的载流能力和低工作电阻,广泛应用于电动工具驱动电路,即使在高要求下也能确保稳定的电流输出。

    3.汽车电子系统:该器件适用于启动电机、照明控制器、配电模块等汽车电子控制系统,即使在恶劣的工作环境下也能提供可靠的开关性能。

    4.通信设备:IRLR8726TRPBF用于无线通信设备中的交换和信号切换,特别适用于需要高功率密度和稳定性能的通信基站和终端设备。

    二、参数特点

    - 低导通电阻:IRLR8726TRPBF具有非常低的导通电阻,可降低大电流运行期间的功率损耗,提高系统能效。

    - 大电流容量:最大持续拉电流达到62A,可以承载更大的负载,适合大功率应用场景。

    - 开关速度快:该MOSFET具有快速开关速度并支持高频开关,有助于在需要快速响应的应用中保持高运行效率。

    - 高耐压:IRLR8726TRPBF的最大漏源电压为30V,适合各种电压环境,有助于提高器件的可靠性。

    - 紧凑的外壳设计:该器件具有紧凑的封装,适合空间有限的设计要求,并可在小型化电路板上实现高效散热。

    综上所述,IRLR8726TRPBF凭借其卓越的电气性能和应用灵活性,已成为能源管理领域的重要选择。非常适合汽车电子和通信设备等领域。低导通电阻和高电流容量确保系统高效运行。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

    扫一扫!

    深圳市壹芯微科技有限公司 版权所有 | 备案号:粤ICP备2020121154号