PD最大耗散功率:48WID最大漏源电流:10AV(BR)DSS漏源击穿电压:100VRDS(ON)Ω内阻:185MΩVRDS(ON)ld通态电流:6AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:1~2VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μAGfs(min)S跨导:3.1SGfs(min)VDS漏源电压:25VGfs(min)lo通态电流:6A
立即咨询一、应用场景:
1. 电源管理:由于其低导通电阻和高开关速度,IRLR120NTRPBF常用于电源管理电路,如DC-DC转换器和电池管理系统。它能够有效地控制电流和电压,确保系统的稳定运行。
2. 电动工具:在电动工具中,这种MOSFET能够提供高效的电流控制和保护,确保工具在各种负载条件下的可靠性和耐用性。
3. 汽车电子:IRLR120NTRPBF在汽车电子系统中也有广泛应用,如电子控制单元(ECU)、电动座椅、车窗控制系统等。其高可靠性和低功耗特性使其成为这些应用的理想选择。
4. 工业自动化:在工业自动化设备中,这种MOSFET用于电机驱动和控制系统,能够提供精确的电流控制和高效的能量传输。
5. 消费电子:包括智能手机、平板电脑等设备中的电源管理模块,IRLR120NTRPBF能够确保设备在高效运转的同时保持低功耗。
二、参数特点:
- 低导通电阻(RDS(on)):该MOSFET的导通电阻非常低,在典型条件下仅为0.004Ω,这使得它在高电流应用中具有极低的功率损耗和高效能。
- 高脉冲电流能力:IRLR120NTRPBF能够承受高达160A的脉冲电流,这使其在需要处理瞬态大电流的应用中表现出色。
- 耐高压能力:其漏源电压(VDS)为30V,适用于多种电压环境下的应用。
- 快速开关速度:该器件具有快速的开关速度,能够在高频应用中实现高效的能量转换和信号处理。
- 低栅极电荷(Qg):IRLR120NTRPBF的栅极电荷较低,这使得它在驱动时所需的能量较少,能够提高系统的整体效率。
综上所述,IRLR120NTRPBF由于其优异的参数特点和广泛的应用场景,成为电子工程师在设计高效能和高可靠性的电路时的重要选择。其低导通电阻、高脉冲电流能力和快速开关速度使其在各种严苛的应用环境中表现出色。
工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
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