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三极管IRLML5203TRPBF参数

PD最大耗散功率:1.25WID最大漏源电流:-3AV(BR)DSS漏源击穿电压:-30VRDS(ON)Ω内阻:98MΩVRDS(ON)ld通态电流:-3AVRDS(ON)栅极电压:-10VVGS(th)V开启电压:-1~-2.5VVGS(th)ld(μA)开启电流:-250μAGfs(min)S跨导:3.1SGfs(min)VDS漏源电压:-10VGfs(min)lo通态电流:-3A

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    IRLML5203TRPBF是一款N沟道MOS场效应管(MOSFET),在许多电路中都有广泛的应用。以下将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 通信设备:IRLML5203TRPBF可用于功率开关电路,在无线基站等通信设备中实现高效能的能量转换。

    2. 电机驱动:IRLML5203TRPBF可作为电机驱动电路中的功率开关,控制电机的转速和方向。

    二、参数特点:

    1. 低导通电阻(RDS(on)):IRLML5203TRPBF具有较低的导通电阻,提高功率开关电路的效率。

    2. 低门电荷(Qg):IRLML5203TRPBF具有低门电荷,能够快速开关,减少能量损耗。

    3. 低开关损耗:IRLML5203TRPBF在开关过程中能够减少能量损耗,提高电路效率。

    4. 高耐压能力:IRLML5203TRPBF具有较高的耐压能力,适用于各种功率电路的应用。

    5. 紧凑型封装:该器件采用SOT-23封装,具有小型化、轻量化的特点,适合于空间有限的应用场合。

    总的来说,IRLML5203TRPBF是一款性能稳定、应用广泛的MOSFET器件,适用于功率开关电路和电机驱动电路等领域,其低导通电阻、低门电荷和高耐压能力等特点使其在电路设计中备受青睐。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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