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场效应MOS管IRFW640A参数

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    IRFW640A是一款广泛应用于电子设备和工业控制中的功率MOSFET(场效应管)。该器件由International Rectifier公司生产,具有高效、耐用和可靠的特点。以下是IRFW640A的应用场景和参数特点的详细介绍。

    一、应用场景:

    1. 电源管理:IRFW640A常用于开关电源(SMPS)和直流-直流转换器(DC-DC Converter)中。由于其低导通电阻和高电流处理能力,这款MOSFET可以提高电源转换效率,减少能量损耗,进而提升整体设备的性能和可靠性。

    2. 电机驱动:在工业自动化和家用电器中,电机驱动电路需要高效的开关元件来控制电机的启动、停止和速度调节。IRFW640A以其出色的开关速度和耐高压特性,被广泛应用于电机驱动系统中,确保电机运行的平稳和高效。

    3. 逆变器:在太阳能发电和不间断电源(UPS)系统中,逆变器需要将直流电转换为交流电。IRFW640A凭借其高电压耐受能力和快速开关特性,能够在高频率下高效地完成这种电能转换,为系统提供稳定的电力输出。

    4. 音频放大器:在高保真音频放大器中,IRFW640A被用作输出级的功率放大元件。它的低导通电阻和线性特性使其能够提供高质量的音频输出,减少失真,提升音频的清晰度和保真度。

    5. 电池管理系统:在电动汽车和可再生能源储能系统中,电池管理系统需要高效的MOSFET来控制电池的充放电过程。IRFW640A的高效率和高电流处理能力使其成为这类应用中的理想选择,确保电池的安全性和寿命。

    二、参数特点:

    - 电压和电流能力:IRFW640A的最大漏源电压(Vds)为200V,最大连续漏极电流(Id)为18A。这些参数使其适用于高压、大电流的应用场景,能够有效承受电路中的瞬态过载和浪涌电流。

    - 导通电阻:IRFW640A的典型导通电阻(Rds(on))为0.18Ω。低导通电阻意味着在导通状态下,MOSFET的功耗较低,热量产生少,有助于提高系统的整体效率并减少散热要求。

    - 开关特性:IRFW640A具有快速的开关特性,其典型的栅极电荷(Qg)为67nC。这使得它能够在高频率下高效地进行开关操作,适用于需要快速响应的电路设计,如开关电源和逆变器。

    - 热性能:IRFW640A的结到壳热阻(RθJC)为1.5℃/W。这表明它在功率器件中的热性能表现良好,有助于有效散热,延长器件寿命,并确保在高功率应用中的可靠运行。

    - 封装形式:IRFW640A采用TO-220AB封装,这种封装形式具有良好的散热性能和机械强度,便于安装和散热设计,适合各种应用环境。

    综上所述,IRFW640A作为一款高性能的功率MOSFET,凭借其优异的电气性能和可靠的热管理特性,广泛应用于电源管理、电机驱动、逆变器、音频放大器和电池管理系统等领域,成为电子和工业控制领域中的关键元件。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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