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场效应MOS管IRFU214B参数

PD最大耗散功率:25WID最大漏源电流:2.2AV(BR)DSS漏源击穿电压:250VRDS(ON)Ω内阻:2ΩVRDS(ON)ld通态电流:1.1AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    IRFU214B是一款通用N沟道功率MOSFET,广泛应用于各种电子电路中,特别适合以下几个领域:

    一、应用场景:

    1. 开关电源:IRFU214B由于其低导通电阻和高电流处理能力,被广泛应用于开关电源(SMPS)中。它可以有效地减少功率损耗,提高电源效率。

    2. 电机驱动:在电机驱动电路中,IRFU214B常用作功率开关元件。其快速开关特性和耐高电压能力使其在控制电机速度和方向时表现出色。

    3. 照明系统:IRFU214B在LED照明驱动电路中也得到广泛应用。其高效能和低发热量特点,使其能够在提高照明效率的同时延长系统寿命。

    4. 电池管理系统:在电池管理系统中,IRFU214B用于电池充放电管理。其稳定的性能和高可靠性,确保了电池的安全和高效工作。

    5. 音频放大器:IRFU214B也应用于音频放大器电路中。其低失真和高效率特点,使其能够提供高质量的音频输出。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻(RDS(on)):IRFU214B的导通电阻非常低,这意味着在工作时电流通过器件时产生的压降较小,从而减少了功率损耗,提高了系统的效率。

    - 高击穿电压(VDS):IRFU214B的击穿电压高达100V,这使其在处理高电压应用时能够保持稳定,防止器件击穿。

    - 高脉冲电流能力(ID):IRFU214B能够处理高达50A的脉冲电流,这对于需要短时间内大电流的应用非常关键,例如在电机启动或电源切换过程中。

    - 快速开关速度:IRFU214B的开关速度非常快,能够在纳秒级时间内完成开关操作。这使其在高频应用中具有显著的优势,如高频开关电源和射频电路。

    - 热性能优越:IRFU214B具有良好的热性能,能够在高温环境下稳定工作,并且具有较低的热阻(RθJA),能够有效地散热,延长器件寿命。

    综上所述,IRFU214B凭借其优越的参数特点和广泛的应用场景,成为电子工程师在设计高效能电路时的首选器件之一。在各种电源管理、电机控制、照明系统和音频放大器中,IRFU214B都展示出了其卓越的性能和可靠性。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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