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场效应MOS管IRFS630B参数

PD最大耗散功率:38WID最大漏源电流:9AV(BR)DSS漏源击穿电压:200VRDS(ON)Ω内阻:0.18ΩVRDS(ON)ld通态电流:4.5AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    IRFS630B是一款N沟道功率MOSFET,广泛应用于需要高效电能转换的电子设备中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源(SMPS):在开关电源中,IRFS630B被用作高频开关器件,能够有效地转换电能,减少能量损耗,提高电源效率。

    2. 电机驱动器:在直流电机驱动应用中,IRFS630B可以作为开关元件,控制电机的启动、停止和速度调节,具有快速开关和低导通电阻的特点。

    3. 不间断电源(UPS):在UPS系统中,IRFS630B被用于逆变器和转换器电路,保证电源的稳定和高效运行。

    4. 太阳能逆变器:在太阳能发电系统中,IRFS630B被用于逆变器电路,将直流电转换为交流电,满足家庭和工业用电需求。

    5. 汽车电子:在汽车电子系统中,IRFS630B可以用于电源管理、照明控制和其他高效能电力转换应用。

    二、参数特点:

    - 耐压能力高:IRFS630B的漏源极耐压(Vdss)为200V,适用于中高压应用环境,确保在较高电压下安全可靠地工作。

    - 导通电阻低:IRFS630B的最大导通电阻(Rds(on))为0.8Ω,具有较低的导通损耗,提高了电路的整体效率。

    - 开关速度快:IRFS630B具有较短的开关时间,典型的上升时间和下降时间分别为20ns和60ns,适合高频开关应用。

    - 高额定电流:IRFS630B的连续漏极电流(Id)为9.2A,脉冲漏极电流(Id,pulse)可达37A,适合大电流应用,保证设备的可靠性。

    - 栅极电荷低:IRFS630B的典型栅极电荷(Qg)为29nC,有助于减少驱动损耗,提高驱动电路的效率。

    综上所述,IRFS630B由于其优越的电气性能和可靠的开关特性,被广泛应用于各类电源转换和电力控制系统中,满足现代电子设备对高效能和高可靠性的需求。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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