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场效应MOS管IRFR420B参数

PD最大耗散功率:41WID最大漏源电流:2.3AV(BR)DSS漏源击穿电压:500VRDS(ON)Ω内阻:2.6ΩVRDS(ON)ld通态电流:1.15AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    IRFR420B是一种常见的功率MOSFET,其在电子设备和电力管理领域中有着广泛的应用。本文将详细介绍IRFR420B的应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理:IRFR420B常用于开关电源、DC-DC转换器和逆变器等电源管理系统中。其低导通电阻和高效率使其在这些应用中表现出色,能够有效减少功率损耗和热量生成。

    2. 电动工具:在电动工具如电钻、电锯等设备中,IRFR420B的高电流处理能力和快速开关特性,使其能够承受高负载和频繁的启动、停止操作,确保工具的可靠性和寿命。

    3. 汽车电子:IRFR420B被广泛应用于汽车电子系统,如电动座椅、窗户控制、电动转向系统等。其高耐压和强大的驱动能力,能够满足汽车电子系统的高要求,并提高系统的稳定性和安全性。

    4. 太阳能系统:在太阳能发电系统中,IRFR420B用于太阳能电池板的功率转换和逆变器中,帮助将直流电转换为交流电,并提升整个系统的效率和稳定性。

    5. 工业控制:IRFR420B在工业自动化和控制系统中也有着重要应用,如电机驱动、温控系统和机器人控制等。其高可靠性和耐用性,使其能够在严苛的工业环境中长时间稳定运行。

    二、参数特点:

    - 导通电阻低:IRFR420B的典型导通电阻为0.13Ω,这意味着它在导通状态下能够提供较低的电阻,从而减少功率损耗,提升系统效率。

    - 高电流处理能力:IRFR420B的最大连续漏极电流为7.3A,能够处理较大的电流,适合需要高电流输出的应用场景。

    - 耐高压:IRFR420B的最大漏源电压为100V,这使其能够在高压环境下稳定工作,广泛应用于需要高电压耐受能力的电路中。

    - 开关速度快:IRFR420B的开关时间非常短,典型的开通时间为10ns,关断时间为20ns。这使其在高频开关电路中表现优异,能够实现快速的电流切换,提高系统的响应速度和效率。

    - 封装形式:IRFR420B采用TO-252封装,这种封装形式具有良好的散热性能和机械强度,能够有效保护器件,延长其使用寿命。

    综上所述,IRFR420B作为一种高性能的功率MOSFET,其在电源管理、电动工具、汽车电子、太阳能系统和工业控制等领域中有着广泛的应用。其低导通电阻、高电流处理能力、耐高压和快速开关特性,使其成为各种高性能电子设备和系统的理想选择。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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