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场效应MOS管IRFR320A参数

PD最大耗散功率:41WID最大漏源电流:3.1AV(BR)DSS漏源击穿电压:400VRDS(ON)Ω内阻:1.8ΩVRDS(ON)ld通态电流:1.55AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    IRFR320A是一种N沟道功率MOSFET,广泛应用于各种电子设备中,特别是在开关电源和电机驱动等领域。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源:在开关电源中,IRFR320A可以作为主开关元件。它具有高效的开关特性,能够显著提高电源的转换效率,减少能量损耗。

    2. 电机驱动:在电机控制电路中,IRFR320A用于控制电机的启动和停止。其低导通电阻和高电流处理能力,使得它非常适合用于驱动直流电机和步进电机。

    3. 直流-直流转换器:在DC-DC转换器中,IRFR320A作为开关元件,可以有效实现电压的升降转换,提高转换效率,保证稳定的输出。

    4. 逆变器:在逆变器电路中,IRFR320A用于实现直流电到交流电的转换,其高速开关能力保证了高频逆变器的工作效率。

    5. 电池管理系统:在电池管理系统中,IRFR320A可以用于电池充放电的控制,提供可靠的电流管理和保护功能。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻:IRFR320A的典型导通电阻(RDS(on))为0.045欧姆,这使得它在导通状态下具有较低的功耗和高效的能量传输能力。

    - 高电流处理能力:它可以处理高达49安培的连续漏极电流,这使得IRFR320A能够胜任高功率应用,确保设备在高负载条件下的稳定运行。

    - 耐高压特性:IRFR320A的最大漏源电压(VDS)为100伏特,这使得它适用于需要高电压处理的应用场景,提供了更大的设计灵活性。

    - 快速开关速度:IRFR320A的开关速度非常快,具有较短的上升和下降时间(分别为9ns和20ns),这在高频应用中尤为重要,能够减少开关损耗,提高效率。

    - 热管理性能:IRFR320A具有较低的热阻(典型值为1.9℃/W),这意味着在高功率应用中,它能有效地散热,防止过热,从而延长器件的使用寿命。

    综上所述,IRFR320A以其高效的开关特性、低导通电阻、高电流处理能力和优异的热管理性能,成为各种高功率、高效率应用中的理想选择。其广泛的应用场景和卓越的参数特点,使得IRFR320A在电子设计中备受青睐。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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