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场效应MOS管IRFP254B参数

PD最大耗散功率:221WID最大漏源电流:25AV(BR)DSS漏源击穿电压:250VRDS(ON)Ω内阻:0.14ΩVRDS(ON)ld通态电流:12.5AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    IRFP254B是一种常见的功率MOSFET,广泛应用于各种电力电子设备和电源管理系统中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源:IRFP254B在开关电源中常被用作开关元件,因其具有高效的开关性能和低导通电阻,能够有效提高电源的效率和稳定性。

    2. 电动工具:在电动工具中,IRFP254B用于电机控制电路,能够提供高效的电流控制和电能转换,确保电动工具的强劲动力和持久性能。

    3. 太阳能逆变器:在太阳能光伏系统中,IRFP254B用于逆变器的功率转换部分,能够将直流电转换为交流电,提高能源利用效率。

    4. 电动汽车充电桩:IRFP254B在电动汽车充电桩的电源管理模块中,确保稳定的高功率充电过程,提供高效的电流控制和保护功能。

    5. 音频放大器:在高功率音频放大器中,IRFP254B被用作输出级的功率管,提供高效的电流传输和音质提升。

    二、参数特点:

    - 电压和电流特性:IRFP254B的漏源极最大电压(Vdss)为400V,能够承受高电压应用;其连续漏极电流(Id)在25°C时为23A,在100°C时为16A,适合高电流需求的电力电子设备。

    - 低导通电阻:IRFP254B的典型导通电阻(Rds(on))为0.085Ω,这意味着在导通状态下具有较低的功耗和发热量,提升了系统的整体效率。

    - 开关特性:IRFP254B具有快速的开关速度,其典型的栅极电荷(Qg)为170nC,能够实现高频率的开关操作,适用于高效能的开关电源和变频器应用。

    - 热特性:IRFP254B的结温范围为-55°C到175°C,具有良好的热稳定性和耐高温能力,能够在苛刻的工作环境中保持稳定性能。

    - 封装形式:IRFP254B采用TO-247封装,提供了良好的散热性能和机械强度,适合需要高功率处理和散热需求的应用场景。

    综上所述,IRFP254B因其优异的电气性能和可靠性,广泛应用于各种需要高效电流控制和高功率转换的电力电子设备中。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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