PD最大耗散功率:125WID最大漏源电流:4.1AV(BR)DSS漏源击穿电压:800VRDS(ON)Ω内阻:3ΩVRDS(ON)ld通态电流:2.5AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μAGfs(min)S跨导:2.5SGfs(min)VDS漏源电压:100VGfs(min)lo通态电流:2.5A
立即咨询一、应用场景:
1. 电源管理:IRFBE30在电源管理中扮演着重要的角色。它可以用于开关电源、直流-直流变换器和逆变器等电源电路中,通过控制其导通状态来实现电源的有效管理和调节。
2. 驱动电机:在各种电机控制应用中,IRFBE30也被广泛使用。例如,用作直流电机的电流控制器,通过控制MOSFET的导通状态来调节电机的转速和转向。
3. 照明系统:现代照明系统中的LED驱动器和调光器通常会采用IRFBE30。它们可以帮助调节LED灯的亮度和颜色,实现能源高效的照明方案。
4. 电动汽车:在电动汽车的功率控制系统中,IRFBE30被广泛用于电池管理、电动机驱动和充电桩等关键部件,以实现高效的能源转换和车辆性能控制。
5. 太阳能逆变器:太阳能发电系统中的逆变器需要高效地将直流电转换为交流电。IRFBE30的低导通电阻和高频特性使其成为太阳能逆变器的理想选择之一。
二、参数特点:
1. 低导通电阻(RDS(on)):IRFBE30具有低导通电阻,这意味着在导通状态下能够通过更大的电流,从而减少功率损耗和热量产生,提高效率。
2. 高电流承受能力(ID):这款MOSFET能够承受较大的电流,适用于需要高功率输出的场合,如电动汽车驱动系统和大功率电源。
3. 高耐压能力(VDS):IRFBE30具有较高的耐压能力,可以在较高的电压下正常工作,适用于各种电源和电驱动系统。
4. 快速开关特性:该型号的MOSFET具有快速的开关速度,能够迅速地切换导通和截止状态,从而降低开关损耗,提高系统效率。
5. 温度稳定性:IRFBE30在不同温度下的性能变化较小,具有良好的温度稳定性,适用于各种工作环境和温度条件下的应用。
综上所述,IRFBE30作为一款性能稳定、适用广泛的功率MOSFET,具有低导通电阻、高电流承受能力、高耐压能力、快速开关特性和良好的温度稳定性,适用于电源管理、驱动电机、照明系统、电动汽车和太阳能逆变器等多种应用场景。
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