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场效应MOS管IRFB4115参数

PD最大耗散功率:380WID最大漏源电流:104AV(BR)DSS漏源击穿电压:150VRDS(ON)Ω内阻:0.0093ΩVRDS(ON)ld通态电流:62AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μAGfs(min)S跨导:97SGfs(min)VDS漏源电压:50VGfs(min)lo通态电流:62A

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    IRFB4115是一款高性能场效应晶体管(MOSFET),具有出色的电气性能和可靠性。常用于各种电力电子应用。

    一、应用场景

    1.能源管理和转换器件:IRFB4115高效率和高耐压使其适合开关电源、DC-DC,特别是需要高效率和低电压的场合。当需要功耗时,该MOSFET可以有效降低热量消耗和功率损耗,提高系统的转换效率。

    2.电机控制系统:IRFB4115可应用于无刷直流(BLDC)电机、步进电机控制器等领域。低导通电阻可降低功耗、减少热量产生并提高效率。频率开关应用中的精确电流控制。

    3.电池管理系统(BMS):对于电动汽车、电动工具和便携式设备中的锂电池管理,IRFB4115可以提供电池保护和管理功能。保证充放电过程中的稳定性,具有良好的开关性能和耐压,满足锂电池高频开关、大电流要求的特点。

    4.太阳能逆变器:在光伏应用中,太阳能逆变器需要高效的直流-交流转换。所用逆变器采用IRFB4115。逆变电路有助于减少热量损失并保持高效率,满足光伏系统的环保节能要求。

    二、参数特点

    - 低导通电阻 (Rds(on)):IRFB4115的导通电阻仅为4.3mΩ,可显著降低承载高电流时的功耗。该功能非常适合用于需要大电流的应用,例如电机驱动和开关电源,并且可以显著提高系统的能源效率。

    - 高击穿电压:IRFB4115的漏源击穿电压实现了高击穿电压。耐压高,可在较宽的输入电压范围内稳定工作。这使得它可以用于一些高压转换场合,以确保组件在各种复杂环境下的安全性和稳定性。

    - 开关速度快:IRFB4115开关速度快,能适应高电压。低栅极电荷(约135nC)导致低开关延迟,使其适合需要快速响应的应用,例如DC-DC转换器和逆变器。

    - 低栅极电荷:该MOSFET 的低栅极电荷 (Qg) 降低了驱动电流要求,从而降低了功耗和驱动电路复杂性。此功能对于高频电力电子系统尤其重要,它可以减少开关损耗并提高整体电路效率。

    - 优异的热稳定性:IRFB4115的热阻有效散热,即使在连续高负载运行下也提高了整体系统的稳定性。这样可以保持较低的温升,延长设备的使用寿命,降低故障难度。

    总之,IRFB4115具有低导通电阻、高击穿电压、快速开关速度和低栅极电荷等优异特性,使其成为电力电子应用的理想选择。尤其是在需要高效率、高耐压和低功耗的功率转换、电机驱动、电池管理和太阳能逆变器应用中,IRFB4115提供可靠的性能和长期稳定性。这些功能为电力系统和工业应用中的高性能和可靠性要求提供了理想的解决方案。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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