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场效应MOS管IRFB38N20D参数

PD最大耗散功率:3.8WID最大漏源电流:44AV(BR)DSS漏源击穿电压:200VRDS(ON)Ω内阻:0.054ΩVRDS(ON)ld通态电流:26AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μAGfs(min)S跨导:17SGfs(min)VDS漏源电压:50VGfs(min)lo通态电流:26A

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    IRFB38N20D是一款N沟道功率MOSFET,广泛应用于多种需要高效功率转换和管理的场景中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源:IRFB38N20D在开关电源中被广泛应用,因为它具有低导通电阻和高开关速度的特点。这使得它在高频率的开关操作中能够有效地减少能量损耗,提高整体电源的效率。

    2. 电机驱动:在电机驱动应用中,IRFB38N20D凭借其强大的电流处理能力和高耐压特性,可以稳定地控制电机的启停和速度调节,保证电机的高效运行。

    3. 光伏逆变器:在光伏系统中,IRFB38N20D被用于逆变器的功率转换部分,其高效率和耐高压的特性能够有效提升光伏系统的发电效率和稳定性。

    4. 不间断电源(UPS):IRFB38N20D在UPS系统中发挥着关键作用,能够在电力中断时提供可靠的电源转换,保证重要设备的持续运行。

    5. 电动汽车:在电动汽车的电池管理和电力驱动系统中,IRFB38N20D以其高效能和可靠性,为车辆提供稳定的电力供应和高效的能量转换。

    二、参数特点:

    - 高耐压:IRFB38N20D具有200V的耐压能力,使其能够在高压环境中稳定工作,适用于需要高电压控制的应用场景。

    - 低导通电阻(Rds(on)):IRFB38N20D的导通电阻极低,为38毫欧(mΩ),这有助于减少导通损耗,提高系统的整体效率。

    - 高开关速度:IRFB38N20D的开关速度非常快,这意味着它能够在短时间内进行高频率的开关操作,适合于需要快速响应的电路应用。

    - 高脉冲电流能力:IRFB38N20D具备高达170A的脉冲漏极电流处理能力,这使其在瞬态大电流需求下仍能保持稳定的性能。

    - 热性能优越:IRFB38N20D在设计上注重热性能,具备良好的热阻(RthJC)参数,这意味着在高功率操作时能够有效散热,保证器件的可靠性和寿命。

    综上所述,IRFB38N20D凭借其高耐压、低导通电阻、高开关速度、高脉冲电流能力以及优越的热性能,成为多种电力电子应用中的理想选择。其在开关电源、电机驱动、光伏逆变器、不间断电源以及电动汽车等领域的广泛应用,证明了其卓越的性能和可靠性。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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