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场效应MOS管IRFB31N20D参数

PD最大耗散功率:3.1WID最大漏源电流:31AV(BR)DSS漏源击穿电压:200VRDS(ON)Ω内阻:0.082ΩVRDS(ON)ld通态电流:18AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~5.5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μAGfs(min)S跨导:17SGfs(min)VDS漏源电压:50VGfs(min)lo通态电流:18A

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    IRFB31N20D是一款高效能的N沟道功率MOSFET,广泛应用于各种电力转换和管理领域。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源(SMPS):IRFB31N20D在开关电源中扮演着关键角色,因其低导通电阻和快速开关速度,可以有效提升电源效率,减少功耗。

    2. 电机驱动:在电机驱动应用中,IRFB31N20D可用于控制电机的启动、停止和速度调节,特别适用于需要高效、高可靠性的工业电机驱动系统。

    3. 光伏逆变器:光伏系统中,逆变器需要将直流电转换为交流电,IRFB31N20D由于其高电压和电流处理能力,成为光伏逆变器中的理想选择,能够提高转换效率,降低热损耗。

    4. 不间断电源(UPS):在UPS系统中,IRFB31N20D可以有效管理电能转换,确保在电力中断时提供持续、稳定的电力供应。

    5. 电动车充电器:电动车充电器要求高效、稳定的电能转换,IRFB31N20D具备高效能和低损耗的特点,是电动车充电器中的常用元件。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻:IRFB31N20D的导通电阻极低(典型值为0.055欧姆),这意味着在导通状态下损耗较低,有助于提高系统整体效率。

    - 高耐压能力:该型号的耐压值高达200V,这使得IRFB31N20D能够在高压应用环境中安全工作,特别适合需要处理高电压的电力电子设备。

    - 大电流处理能力:IRFB31N20D具有较大的最大漏极电流(高达76A),能够处理高电流负载,适用于需要大电流传输的场合。

    - 快速开关特性:IRFB31N20D的开关速度快(典型值为90ns),能够在高频开关应用中提供快速响应,减少开关损耗,提高工作效率。

    - 热管理优势:该型号具有良好的热管理特性,结温范围为-55°C到175°C,能够在高温环境中稳定运行,适合严苛的工业应用环境。

    通过详细分析IRFB31N20D的应用场景和参数特点,可以看出其在各种电力电子应用中具有显著优势。无论是用于开关电源、电机驱动,还是光伏逆变器和不间断电源,IRFB31N20D都能凭借其低导通电阻、高耐压能力、大电流处理能力和快速开关特性,提供高效可靠的解决方案。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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