收藏壹芯微 | 在线留言| 网站地图

您好!欢迎光临壹芯微科技品牌官网

壹芯微

深圳市壹芯微科技有限公司二极管·三极管·MOS管·桥堆

全国服务热线:13534146615

壹芯微二极管
首页 » 壹芯微产品中心 » 三极管 » 场效应管 » 场效应MOS管IRFB3077参数

场效应MOS管IRFB3077参数

PD最大耗散功率:370WID最大漏源电流:210AV(BR)DSS漏源击穿电压:75VRDS(ON)Ω内阻:0.0033ΩVRDS(ON)ld通态电流:75AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μAGfs(min)S跨导:160SGfs(min)VDS漏源电压:50VGfs(min)lo通态电流:75A

立即咨询


    IRFB3077是一款功率场效应管(MOSFET),常见于各种功率电子设备中,其应用场景和参数特点如下:

    一、应用场景:

    1. 电源管理系统:IRFB3077常用于电源开关、DC-DC变换器和逆变器等功率管理系统中。其高功率特性和低导通电阻使其在这些应用中表现出色。

    2. 电机驱动器:在电动车、工业机器人、家用电器等电机驱动系统中,IRFB3077能够提供高效的功率放大和控制,从而实现高性能的电机控制。

    3. 光伏逆变器:在太阳能光伏逆变器中,IRFB3077可用作逆变器的开关管,将直流电转换为交流电,并且能够承受较高的电压和电流。

    4. 电动工具:在电动工具如钻机、锯床等设备中,IRFB3077可以作为开关装置,实现对电机的高效控制,提高设备的性能和能效。

    5. 电动汽车充电桩:在电动汽车充电桩中,IRFB3077可用于控制充电桩的开关电路,实现对电流的调节和保护功能。

    二、参数特点:

    1. 低导通电阻:IRFB3077具有较低的导通电阻,能够减小功率开关时的能量损耗,提高系统的效率。

    2. 高耐压能力:该器件能够承受较高的漏电流和击穿电压,适用于高压环境下的电力应用。

    3. 快速开关特性:IRFB3077具有快速的开关速度,能够实现高频率的开关操作,适用于要求高速开关的应用场合。

    4. 良好的热特性:器件具有良好的散热性能,能够在高功率工作时有效地散去热量,保持稳定的工作温度。

    5. 可靠性和稳定性:IRFB3077具有较高的可靠性和稳定性,能够长时间稳定地工作于不同的环境条件下。

    总的来说,IRFB3077作为一款高性能的功率MOSFET,广泛应用于各种功率电子设备中,其低导通电阻、高耐压能力、快速开关特性、良好的热特性以及可靠性和稳定性等特点,使其成为众多功率应用的理想选择。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

    扫一扫!

    深圳市壹芯微科技有限公司 版权所有 | 备案号:粤ICP备2020121154号