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场效应MOS管IRF9530参数

PD最大耗散功率:79WID最大漏源电流:-14V(BR)DSS漏源击穿电压:-100VRDS(ON)Ω内阻:0.2ΩVRDS(ON)ld通态电流:-8.4AVRDS(ON)栅极电压:-10VVGS(th)V开启电压:-2~-4VVGS(th)ld(μA)开启电流:-250μA

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    IRF9530是一款常用于低压应用的P沟道功率MOSFET。它具有优异的开关特性和耐用性,使其适用于各种电子和工业电路设计。

    一、应用场景

    1.开关电源和逆变器:IRF9530因其低导通电阻而广泛应用于开关电源和逆变器,可以减少开关损耗并提高所使用的系统效率。此外,其P沟道特性简化了控制电路设计,降低了电路复杂度,使其广泛应用于便携式设备中的DC-DC转换电路。

    2.电机控制和工业自动化:在电机控制和工业自动化中,IRF9530广泛用作驱动电路中的低侧开关器件。此类应用需要更高的功率处理能力和开关速度,而IRF9530可以满足这些要求。由于其介电强度和高载流能力,可用于高性能工业控制系统,提高系统稳定性和可靠性。

    3.汽车电子和电池管理系统:汽车电子和电池管理系统使用 IRF9530进行电池切换和保护。其P沟道特性允许以较低的控制电压实现开关过程,从而降低了外围控制电路的复杂性。采用IRF9530进行电池管理,保证电池的高效充放电,提高系统的整体性能。

    4.音频放大器和功率放大器:在音频领域,IRF9530常用于功率放大器。输出级中的推挽电路提供高效的功率转换。低输入电容和快速开关特性使放大器能够响应更高频率的信号,同时确保IRF9530稳定的输出性能。电流和高功率处理在这些应用中发挥着关键作用。

    二、参数特点

    - 电压和电流强度:IRF9530的漏源电压最高可达100V,适合高压应用。同时,最大连续漏极电流达到12A,适用于高电压和大电流应用。尤其是在需要大功率、大电流的工作场合,表现出优异的性能。

    - 导通电阻:的典型导通电阻比N沟道MOSFET高约4Ω,但通过适当的电路设计,可以实现更低的功耗。此功能有助于保持应用中的低热损失并提高系统的热稳定性。

    - 低栅极电荷和快速开关能力:IRF9530的栅极电荷约为85nC,开关速度快。特别适用于高频开关电源和控制电路。低栅极电荷不仅提高了开关效率,还降低了驱动电路需求,使其适合便携式、低功耗设计。

    - 热性能:在热性能方面,IRF9530具有良好的热阻性能,最高结温可达175℃,结合散热特性,也可以在高温下使用,这使得稳定运行成为可能。这样可以有效提高整个系统的热管理效果。

    - 封装与安装:IRF9530采用TO-220封装,适合板安装和散热器固定的安装和热管理,进一步增强应用可靠性和长期运行稳定性。

    总的来说,IRF9530是一款适用于低压开关控制、大功率驱动和工业应用的P沟道功率MOSFET,其强大的电气性能和出色的散热特性可满足高效率和稳定性的要求。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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