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场效应MOS管IRF840N参数

PD最大耗散功率:125WID最大漏源电流:8AV(BR)DSS漏源击穿电压:500VRDS(ON)Ω内阻:0.85ΩVRDS(ON)ld通态电流:4AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    IRF840N是一种常用的N沟道功率MOSFET,广泛应用于各种电子设备和电路中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源(SMPS):IRF840N在开关电源中扮演重要角色,因其高电压承受能力和快速切换特性,使其在高效能转换器中得到广泛应用。其高达500V的耐压能力,使其特别适用于高压环境。

    2. 电动机控制:在电动机控制电路中,IRF840N被用作主开关器件。由于其低导通电阻和高电流处理能力,能够有效控制电动机的启停和速度调节,提升系统的可靠性和效率。

    3. 逆变器电路:IRF840N常用于光伏逆变器和不间断电源(UPS)系统中。其高耐压和高效率的特性,使其在转换直流电为交流电时表现优异,确保了电能转换过程中的稳定性和高效性。

    4. 电池管理系统(BMS):在电动汽车和储能系统中,IRF840N作为电池管理系统的一部分,负责电池组的充放电控制。其高开关频率和低漏电流特性,有助于提高电池管理的精度和效率。

    5. 照明控制:IRF840N还被广泛应用于LED驱动电路中。其高效率和耐用性,确保了LED照明系统的稳定运行和长寿命,使其成为节能照明方案的理想选择。

    二、参数特点:

    - 耐压能力:IRF840N的漏源极耐压(Vds)高达500V,这使其能够在高压环境下安全工作,适用于需要高耐压的应用场景。

    - 导通电阻:在导通状态下,IRF840N的导通电阻(Rds(on))较低,典型值约为0.85Ω。这意味着在导通时,电流通过MOSFET的损耗较小,从而提高了整体电路的效率。

    - 电流处理能力:IRF840N的最大漏极电流(Id)为8A,能够处理较大的电流,适合用于高功率电路和设备。

    - 开关速度:IRF840N具备较快的开关速度,这使其在高频开关电路中能够有效工作,减少切换损耗,提升系统效率。

    - 输入电容:IRF840N的输入电容(Ciss)为1400pF,虽然不算特别低,但在很多应用中可以通过驱动电路的优化来克服,确保其高效工作。

    综上所述,IRF840N作为一种高性能的N沟道功率MOSFET,在电源管理、照明控制、电动机驱动等多种应用中展现了其卓越的性能和可靠性。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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