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场效应MOS管IRF830N参数

PD最大耗散功率:74WID最大漏源电流:4.5AV(BR)DSS漏源击穿电压:500VRDS(ON)Ω内阻:1.5ΩVRDS(ON)ld通态电流:2.7AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    IRF830N是一款N沟道增强型功率MOSFET,广泛应用于各种电子设备中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源:IRF830N在开关电源中扮演重要角色,能够高效地进行能量转换。其低导通电阻和高开关速度使得电源转换效率更高,减少了能量损失,适用于各种DC-DC、AC-DC转换器。

    2. 电机驱动:在电机驱动领域,IRF830N常用于控制直流电机和步进电机。其高电流处理能力和快速开关特性使其能够提供稳定的驱动电流,并有效降低电机运行中的功率损耗。

    3. 逆变器:IRF830N在逆变器中也有广泛应用,尤其是在光伏逆变器和不间断电源(UPS)中。其高压耐受和高效能转换特点,使其能够在高压环境下稳定运行,确保逆变器的高效能量转换和可靠运行。

    4. 电源管理:在各种电子设备中,IRF830N用于电源管理电路,通过高效的开关控制,实现电压调节和功率分配。其出色的性能确保了电子设备的稳定运行和长寿命。

    5. 音频放大器:在音频放大器电路中,IRF830N被用于推挽输出级,能够提供大电流、高效率的放大能力,提升音频设备的音质和输出功率。

    二、参数特点:

    - 高压耐受能力:IRF830N的漏源极耐压(Vds)高达500V,适合用于高压电路设计,能够在高压环境下稳定工作,广泛应用于工业控制和电源转换领域。

    - 低导通电阻:该型号的导通电阻(Rds(on))较低,仅为1.5Ω(典型值),这意味着在导通状态下,IRF830N能够有效降低功率损耗,提高系统的整体效率。

    - 高电流处理能力:IRF830N的最大连续漏极电流(Id)为4.5A,能够处理较大的电流负载,适用于需要大电流驱动的应用场景,如电机控制和功率放大器。

    - 快速开关特性:该型号具有出色的开关速度,开关时间短,有助于提高电路的开关频率,从而提升电源转换效率和响应速度,适用于高速开关电源和逆变器。

    - 热稳定性好:IRF830N具有良好的热稳定性,能够在高温环境下稳定工作。其热阻较低,确保了器件在高功率应用中的可靠性和长寿命。

    通过以上分析可以看出,IRF830N凭借其高压耐受、低导通电阻、高电流处理能力、快速开关特性和良好的热稳定性,在各种应用场景中都能表现出色,为电子设备提供了可靠的性能保障。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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