收藏壹芯微 | 在线留言| 网站地图

您好!欢迎光临壹芯微科技品牌官网

壹芯微

深圳市壹芯微科技有限公司二极管·三极管·MOS管·桥堆

全国服务热线:13534146615

壹芯微二极管
首页 » 壹芯微产品中心 » 三极管 » 插件MOS管 » MOS管IRF830FI参数

MOS管IRF830FI参数

PD最大耗散功率:35WID最大漏源电流:3AV(BR)DSS漏源击穿电压:500VRDS(ON)Ω内阻:1.5ΩVRDS(ON)ld通态电流:2.5AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

立即咨询


    IRF830FI是一种常见的功率MOSFET器件,广泛应用于各类电子设备中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源:在开关电源中,IRF830FI经常被用作高效开关器件,其低导通电阻和快速开关特性使其非常适合这种高频应用。它可以有效地降低功耗,提高电源的效率。

    2. 电机驱动:在直流电机驱动电路中,IRF830FI能够提供可靠的电流控制和快速的响应速度,适用于各种小型电机和步进电机驱动电路。这些特性确保了电机的平稳运行和精确控制。

    3. 逆变器:在太阳能逆变器和其他类型的逆变器中,IRF830FI被广泛应用于其转换效率和耐用性。它的高电压和电流承受能力使其能够处理大功率的转换过程,保证了系统的稳定性和效率。

    4. 音频放大器:在高保真音频放大器中,IRF830FI作为输出级的功率管,可以提供高质量的音频信号放大效果。其线性度好和低失真率使其在音频放大器应用中表现优异。

    5. 电源管理:在各种电子设备的电源管理电路中,IRF830FI可以用于电压调节和电流控制,保证设备的安全和稳定运行。它的高效能和可靠性使其成为电源管理电路中的重要组件。

    二、参数特点:

    - 电压和电流能力:IRF830FI的漏源极最大电压为500V,最大连续漏极电流为4.5A,这使得它适合处理中高电压和中等电流的应用场景。

    - 导通电阻:IRF830FI的导通电阻(RDS(on))为1.5Ω(典型值),在较低的栅源电压(10V)下可以实现较低的导通损耗,提升了电路的整体效率。

    - 开关特性:IRF830FI具有较快的开关速度,其典型的上升时间和下降时间分别为10ns和35ns,这使得它在高频开关应用中表现出色。

    - 输入电容和反向恢复时间:IRF830FI具有较低的输入电容(Ciss)和较短的反向恢复时间,这使其在高频电路中能够快速响应,减少了开关损耗。

    - 热性能:IRF830FI的结温范围宽(-55°C至150°C),并且具有良好的热管理特性,使其在苛刻的工作环境中依然能够保持稳定的性能。

    综上所述,IRF830FI作为一款高性能的N沟道功率MOSFET,凭借其高电压和电流处理能力、低导通电阻、快速开关特性及优异的热性能,广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器、音频放大器和电源管理等多种领域。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

    扫一扫!

    深圳市壹芯微科技有限公司 版权所有 | 备案号:粤ICP备2020121154号