收藏壹芯微 | 在线留言| 网站地图

您好!欢迎光临壹芯微科技品牌官网

壹芯微

深圳市壹芯微科技有限公司二极管·三极管·MOS管·桥堆

全国服务热线:13534146615

壹芯微二极管
首页 » 壹芯微产品中心 » 三极管 » 场效应管 » 场效应MOS管IRF740N参数

场效应MOS管IRF740N参数

PD最大耗散功率:125WID最大漏源电流:10AV(BR)DSS漏源击穿电压:400VRDS(ON)Ω内阻:0.55ΩVRDS(ON)ld通态电流:5AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

立即咨询


    IRF740N是一种常用的N沟道功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),其主要应用场景包括:

    一、应用场景:

    1. 开关电源:在开关电源中,IRF740N常被用作开关元件。其低导通电阻和快速开关特性使其非常适合高频开关电源的设计,能够有效提高电源效率并降低功耗。

    2. 电机驱动:在直流电机和无刷电机驱动中,IRF740N可以用于H桥电路中,作为功率开关器件使用。其高电流处理能力和耐高压特性能够满足电机启动和运行时的高功率需求。

    3. 逆变器:在光伏逆变器和风能逆变器等可再生能源设备中,IRF740N用于将直流电转换为交流电。其高效的功率转换能力有助于提高整体系统的能效。

    4. 电池管理系统:在电动汽车和储能系统的电池管理中,IRF740N用于控制充放电过程。其高精度的电流控制和低导通电阻有助于延长电池寿命和提高系统安全性。

    5. 音频放大器:在高功率音频放大器中,IRF740N可以作为输出级元件使用。其线性度和快速响应特性有助于提供高质量的音频输出。

    二、参数特点:

    - 耐压能力:IRF740N的漏源极耐压(Vds)高达400V,这使其在高压应用中表现出色,能够承受较高的电压应力。

    - 导通电阻:IRF740N的导通电阻(Rds(on))在10V栅极驱动电压下约为0.55欧姆,这使其在导通状态下具有较低的功耗,从而提高了整体效率。

    - 电流处理能力:IRF740N的连续漏极电流(Id)最大可达10A,脉冲电流(Idm)则可达40A。这使其在需要处理大电流的应用中非常适合。

    - 开关速度:IRF740N具有较快的开关速度,其典型的开通时间(ton)和关断时间(toff)分别为10纳秒和30纳秒。这有助于减少开关损耗,提高系统效率。

    - 热性能:IRF740N的结壳热阻(RθJC)为1.0°C/W,结-环境热阻(RθJA)为62.5°C/W。这意味着其在高功率应用中能够有效散热,保证器件稳定工作。

    综上所述,IRF740N以其高耐压、低导通电阻、高电流处理能力、快速开关速度和优良的热性能,成为各种高效能电子设备中的理想选择。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

    扫一扫!

    深圳市壹芯微科技有限公司 版权所有 | 备案号:粤ICP备2020121154号