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场效应MOS管IRF720N参数

PD最大耗散功率:50WID最大漏源电流:3.3AV(BR)DSS漏源击穿电压:400VRDS(ON)Ω内阻:1.8ΩVRDS(ON)ld通态电流:1.8AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    IRF720N是一种常见的 N 沟道增强型功率 MOSFET,广泛应用于各种电子设备和电源管理系统中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源:IRF720N常用于高频转换器和稳压器。它的低导通电阻和高开关速度使其非常适合高效能量转换。

    2. 电机驱动:IRF720N能承受较高的电流和电压,适用于直流电机的驱动电路。在这种应用中,它的高效和可靠性可以显著提升系统的性能和寿命。

    3. 太阳能逆变器:在太阳能系统中,IRF720N用于逆变器电路,将直流电转换为交流电。其高效率和耐用性对于提高太阳能系统的整体效率至关重要。

    4. 电动工具:由于IRF720N能提供强大的电流和电压处理能力,广泛应用于各种电动工具的电源管理系统中,如电钻和锯子等。

    5. 音频放大器:在高功率音频放大器中,IRF720N可用于输出级,以确保高质量的音频信号放大和传输。

    二、参数特点:

    - 最大漏源电压 (VDS):IRF720N的最大漏源电压为 200V,适用于处理较高电压的应用场合。

    - 导通电阻 (RDS(on)):IRF720N的典型导通电阻为 1.0Ω。这一低导通电阻特性确保了在开关过程中能量损耗最小,提高了整体效率。

    - 漏源电流 (ID):IRF720N能承受的连续漏源电流为 5.2A,在脉冲模式下则可达到 21A,适用于高电流需求的应用。

    - 开关速度:IRF720N具有快速的开关速度,这一特点使其在高频开关电源和快速脉冲应用中表现优异。

    - 栅极电荷 (Qg):IRF720N的总栅极电荷典型值为 23nC,这一参数反映了其在开关过程中所需的驱动能量,直接影响开关效率和热管理。

    综上所述,IRF720N以其优异的电气性能和广泛的应用场景,成为了电子设备和电源管理系统中的重要元件。其高效、可靠的特点使其在多种高要求的应用中均表现出色。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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