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场效应MOS管IRF630M参数

PD最大耗散功率:75WID最大漏源电流:9AV(BR)DSS漏源击穿电压:200VRDS(ON)Ω内阻:0.4ΩVRDS(ON)ld通态电流:4.5AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    IRF630M是一种N沟道功率MOSFET,广泛应用于各种电源管理和控制系统中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源(SMPS):IRF630M常用于高频开关电路。其低导通电阻和高开关速度使其非常适合用于高效能量转换。具体应用包括AC-DC转换器、DC-DC转换器以及逆变器等。

    2. 电机驱动:IRF630M广泛用于电机驱动器中,尤其是直流无刷电机(BLDC)和步进电机控制。其高电流和高电压特性使其能够在高功率电机控制中表现优异。

    3. 照明控制:在LED照明控制中,IRF630M可以用于恒流驱动电路。其高效能和可靠性确保了LED照明系统的稳定性和寿命。

    4. 音频放大器:IRF630M在音频放大器中的应用也十分常见,尤其是在D类音频放大器中。其高开关频率特性使其能够提供高保真度的音频输出。

    5. 电池管理系统:IRF630M在电池管理系统中用于充电和放电控制。其低导通电阻和高电流承载能力确保了电池的高效充放电过程。

    二、参数特点:

    - 电压和电流:IRF630M的漏源电压(Vds)为200V,最大连续漏极电流(Id)为9A。这使得它能够处理高电压和大电流的应用场景,适用于各种高功率转换和控制系统。

    - 导通电阻(Rds(on)):IRF630M的导通电阻典型值为0.4Ω,这意味着在导通状态下它的能量损耗较低,效率较高。这一特点使其在高效能量管理和转换应用中表现出色。

    - 开关速度:IRF630M具有快速开关特性,开关时间通常在几十纳秒级别。这使得它在高频应用中能够有效减少开关损耗,提高整体效率。

    - 输入电容:IRF630M的输入电容(Ciss)约为500pF,这在一定程度上影响了其开关速度和驱动要求。较低的输入电容有助于提高开关速度,但需要相应的驱动电路来提供足够的驱动电流。

    - 热特性:IRF630M的结温范围为-55°C至+175°C,具有良好的热稳定性。这使得它在各种恶劣环境下依然能够可靠工作。此外,IRF630M还具有低热阻的特点,帮助散热管理,提高可靠性。

    综上所述,IRF630M凭借其高电压、高电流、低导通电阻和快速开关等特点,成为电源管理、电机驱动、照明控制、音频放大和电池管理等多个领域的理想选择。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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