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场效应MOS管IRF541参数

PD最大耗散功率:125WID最大漏源电流:108AV(BR)DSS漏源击穿电压:60VRDS(ON)Ω内阻:0.065ΩVRDS(ON)ld通态电流:15AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    IRF541是一种常见的N沟道功率MOSFET,广泛应用于以下几个领域。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理系统:在开关电源、DC-DC转换器和不间断电源(UPS)中,IRF541常用作开关元件。这是因为它具有较低的导通电阻和高效的开关特性,能够显著提高电源效率和减少能量损失。

    2. 电动机驱动:在电动机驱动电路中,IRF541通常用于控制电动机的启停和速度调节。其高电流处理能力和快速开关速度使其适用于各种电动机应用,如风扇、电动工具和家用电器等。

    3. 音频放大器:在高保真音频放大器中,IRF541被用作输出级元件。其线性度高、失真小,能够提供清晰、真实的音质,是音频爱好者和专业音响工程师的理想选择。

    4. 太阳能逆变器:在太阳能逆变器中,IRF541常用来转换太阳能电池板输出的直流电为交流电。其高效能和可靠性在提高太阳能系统整体效率方面发挥了重要作用。

    5. 汽车电子:在汽车电子设备中,IRF541用于控制各种电子装置,如灯光系统、车窗升降和空调系统等。其高耐用性和宽工作温度范围使其能够在汽车严苛的环境中稳定工作。

    二、参数特点:

    - 最大漏源电压(Vds):IRF541的最大漏源电压为100V,这意味着它能够承受高达100伏的电压而不会损坏,适用于中高压应用场景。

    - 导通电阻(Rds(on)):IRF541的导通电阻低至0.085欧姆,这一特性使其在导通状态下具有较低的功耗和较高的效率,非常适合高效电源管理应用。

    - 最大漏极电流(Id):IRF541能够处理的最大漏极电流为33A,显示了其在高电流应用中的优越性能,适用于驱动大功率负载。

    - 栅极阈值电压(Vgs(th)):IRF541的栅极阈值电压范围为2.0V到4.0V,这使得其在低电压驱动下也能可靠开关,适用于低压控制电路。

    - 总栅极电荷(Qg):IRF541的总栅极电荷为67nC,意味着其开关速度快,能够在高频开关电路中高效工作,减少开关损耗。

    综上所述,IRF541凭借其高电压和高电流处理能力、低导通电阻和快速开关特性,成为各种电源管理、电动机驱动、音频放大和汽车电子应用中的理想选择。它的多样化应用场景和优异的参数特点确保了其在工业和消费电子产品中的广泛使用。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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