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场效应MOS管IRF1405参数

PD最大耗散功率:330WID最大漏源电流:169AV(BR)DSS漏源击穿电压:55VRDS(ON)Ω内阻:0.0053ΩVRDS(ON)ld通态电流:101AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    IRF1405是一款高效N沟道功率MOSFET,广泛应用于需要高性能和高效率的电子设备中。其主要应用场景有:

    一、应用场景

    1. 开关电源:IRF1405广泛应用于断路器电源系统,特别是高效率电源设计。低导通电阻和高电流容量在功率转换和电流调节方面提供了显著的优势,提高了系统效率和稳定性。

    2. 电动汽车驱动:IRF1405在电动汽车电池管理系统和电驱动电机控制中发挥着重要作用。由于其高耐压和快速开关特性,广泛应用于电源转换电路和电机控制电路,以确保电动汽车的高效运行。

    3. 功率放大器:对于需要高性能信号放大的应用,IRF1405可以提供快速的开关响应和稳定的工作性能。该MOSFET广泛应用于音频放大器、高频功率放大器等领域。

    4. 电池充电器:IRF1405还用于智能手机、电动工具和其他设备的电池充电系统。低工作电阻,有效降低功率损耗,提高充电效率,延长设备寿命。

    5. 逆变器和UPS系统:在逆变器和不间断电源 (UPS) 系统中,IRF1405提供高效的电源开关功能。处理更高负载电流的能力可确保设备在断电期间继续运行。

    二、参数特点

    - 低导通电阻:IRF1405具有低导通电阻,通常为0.077Ω。这减少了运行期间的功率损耗并显著提高了电路效率,使其特别适合高性能设计。

    - 高电流容量:IRF1405可承受高达169A的脉冲电流,确保即使在高功率应用中也能稳定运行。

    - 耐高压:IRF1405的最大漏源电压为55V,适合需要承受中压和高压的电路。这一特性使得IRF1405能够在各种电压环境下提供稳定的性能。

    - 快速开关特性:IRF1405具有快速开关速度,可以在高速开关应用中提供卓越的性能。它特别适用于高频功率转换和数字电路,确保快速响应和精确控制。

    - 低栅极电荷:IRF1405的低栅极电荷可降低驱动电路的功耗并减少控制信号。满足您的要求并提高整体系统效率和响应速度。

    - 高热稳定性:IRF1405最高结温为150°C,展示了其在较高工作温度下稳定运行和适应恶劣工作环境的能力,使其适合工业和汽车领域广泛应用。

    总的来说,IRF1405由于其优异的参数特性,成为高效率和高功率应用的推荐器件,适合各种需要大电流、高效率和高稳定性的电路设计。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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