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场效应MOS管HUF76423P3参数

PD最大耗散功率:85WID最大漏源电流:33AV(BR)DSS漏源击穿电压:60VRDS(ON)Ω内阻:0.03ΩVRDS(ON)ld通态电流:35AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:1~3VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    HUF76423P3是一款广泛应用于各种电力电子设备中的功率MOSFET。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理系统:HUF76423P3在开关电源(SMPS)、DC-DC转换器和UPS系统中发挥重要作用。它的高效开关性能使其能够在这些应用中实现低损耗和高效率的电能转换。

    2. 电机驱动器:在电动机控制和驱动器中,HUF76423P3用于实现高效能量传输。其低导通电阻和高脉冲电流能力使其能够处理高电流需求,从而提高系统的性能和可靠性。

    3. 照明系统:LED驱动器和照明系统也广泛采用HUF76423P3,因为它能够提供稳定的电流输出,确保LED的长寿命和高亮度,同时降低能耗。

    4. 消费电子:在电视、音响设备和计算机等消费电子产品中,HUF76423P3被用作电源开关和电流控制元件,提升设备的整体能效。

    5. 工业控制系统:在各种工业自动化和控制系统中,HUF76423P3用于电源开关和保护电路,其高可靠性和耐用性使其在这些应用中具有突出的表现。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻(RDS(on)):HUF76423P3的最大导通电阻仅为0.024欧姆,这意味着在导通状态下它具有非常低的功耗,从而提高了系统的整体效率。

    - 高电流能力:该器件的最大连续漏极电流为60A,瞬态脉冲电流可以达到240A,使其能够处理高电流应用而不损坏。

    - 高耐压性:HUF76423P3的漏源极电压(VDSS)为55V,确保其在高压环境下的可靠性和稳定性。

    - 快速开关特性:它的总栅极电荷(Qg)较低,为94nC,使其能够实现快速的开关速度,减少开关损耗,适用于高频率的应用场景。

    - 低栅极阈值电压:HUF76423P3的栅极阈值电压(VGS(th))为2-4V,使其能够在较低的驱动电压下工作,适应多种电路设计需求。

    - 封装类型:HUF76423P3采用TO-220封装,这种封装形式具有良好的散热性能和机械强度,方便安装和使用。

    通过上述特点,HUF76423P3在各种需要高效能和高可靠性的应用中展现出了优异的性能,成为许多工程师在设计电力电子系统时的首选元件。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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