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场效应MOS管HUF75545P参数

PD最大耗散功率:270WID最大漏源电流:75AV(BR)DSS漏源击穿电压:80VRDS(ON)Ω内阻:0.01ΩVRDS(ON)ld通态电流:75AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    HUF75545P是一款N沟道功率MOSFET,广泛应用于多种电子设备和系统中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源(SMPS):在开关电源中,HUF75545P通常用于主开关器件。它的高效能和低导通电阻使其在高频开关操作中表现出色,能够有效地降低功耗并提高系统效率。

    2. 电机驱动:HUF75545P在电机驱动电路中,特别是在直流电机驱动应用中,扮演着关键角色。其高电流处理能力和快速开关特性,使其能够精确控制电机速度和扭矩,从而提高系统的性能和可靠性。

    3. 不间断电源(UPS):在UPS系统中,HUF75545P用于逆变器部分。其优越的电流承受能力和低导通电阻,有助于实现高效的电能转换,并保证在电网故障时提供稳定的电力输出。

    4. 太阳能逆变器:HUF75545P在太阳能逆变器中的应用也非常普遍。由于其高效率和耐高压特性,使其在将直流电转换为交流电的过程中,能有效提高转换效率,并最大限度地减少能量损失。

    5. 汽车电子:在现代汽车电子系统中,HUF75545P被广泛用于电动汽车和混合动力汽车的电池管理系统、驱动系统以及其他高效能要求的电子控制单元中。其高可靠性和稳定性,满足了汽车电子对元件严格的性能和耐久性要求。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻(RDS(on)):HUF75545P具有极低的导通电阻,典型值为0.018欧姆。这意味着在工作时产生的热量较少,效率更高,适合高效能要求的应用场景。

    - 高击穿电压:HUF75545P的漏源击穿电压(BVDSS)为60V,能够承受高电压操作,适用于需要高电压处理能力的应用,如开关电源和电机驱动等。

    - 高电流处理能力:HUF75545P能够处理高达64A的连续漏极电流,适用于需要高电流的应用,如电机驱动和电源管理系统。

    - 快速开关速度:其栅极电荷(Qg)典型值为67nC,使得HUF75545P具备快速的开关能力,适合高频应用。快速开关速度能够减少开关损耗,提高整体系统效率。

    - 热性能优异:HUF75545P采用TO-220封装,具有优良的热性能。其结到壳体热阻(RθJC)为1.0°C/W,能够有效散热,保证元件在高功率操作下的稳定性和可靠性。

    综上所述,HUF75545P凭借其低导通电阻、高击穿电压、高电流处理能力、快速开关速度以及优异的热性能,成为多种电子设备和系统中的理想选择。无论是在开关电源、电机驱动、不间断电源、太阳能逆变器还是汽车电子中,HUF75545P都能够提供高效可靠的解决方案。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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