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场效应MOS管HUF75337P3参数

PD最大耗散功率:175WID最大漏源电流:75AV(BR)DSS漏源击穿电压:55VRDS(ON)Ω内阻:0.014ΩVRDS(ON)ld通态电流:75AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    HUF75337P3是一款广泛应用于电子设备中的MOSFET(场效应管),其主要应用场景包括以下几个方面:

    一、应用场景:

    1. 开关电源:在开关电源中,HUF75337P3用于实现高效的电能转换。它能够在高频率下迅速开关,有助于提高电源的效率和性能,适用于各种消费类电子产品、工业电源和通信设备。

    2. 电机驱动:HUF75337P3在电机驱动应用中具有显著优势,能够提供快速的开关和低导通电阻,从而减少能量损耗。常见的应用包括电动车辆、机器人和家用电器中的电机控制系统。

    3. DC-DC转换器:在DC-DC转换器中,HUF75337P3可以用于降压或升压转换器,提供高效的电能转换。它的高开关速度和低导通电阻使其在需要高效率和高功率密度的应用中表现出色。

    4. 不间断电源(UPS):不间断电源系统需要高效且可靠的功率半导体器件,HUF75337P3的特性使其成为UPS系统中的理想选择,确保在电源故障时仍能提供稳定的电力输出。

    5. 电池管理系统(BMS):在电池管理系统中,HUF75337P3用于控制电池的充放电过程,确保电池的安全和高效运行。其低导通电阻和高开关速度对于延长电池寿命和提高系统效率至关重要。

    二、参数特点:

    - 电压和电流能力:HUF75337P3具有60V的漏源极电压(V_DS)和75A的连续漏极电流(I_D)能力,适用于高电压和高电流的应用场合。

    - 低导通电阻:HUF75337P3的典型导通电阻(R_DS(on))为5毫欧(mΩ),在大电流传输时具有低功耗特性。这一特性有助于减少系统的热损耗,提高效率。

    - 快速开关速度:HUF75337P3具有较快的开关速度,其典型的栅极电荷(Q_g)为220纳库伦(nC),能够在高频应用中实现快速的开关。这对于减少转换过程中的能量损耗和提高系统响应速度至关重要。

    - 封装形式:HUF75337P3采用TO-247封装,具有良好的热性能和机械强度,适合在苛刻的工作环境中使用。TO-247封装还便于散热管理,有助于提高器件的可靠性。

    - 热性能:HUF75337P3的热阻(R_thJC)典型值为0.75°C/W,具有优异的散热性能。这一特性在高功率应用中尤为重要,能够有效降低器件的工作温度,提高系统的稳定性和寿命。

    综上所述,HUF75337P3凭借其优异的电气性能和可靠的机械特性,在开关电源、电机驱动、DC-DC转换器、不间断电源和电池管理系统等多个应用场景中表现出色。其参数特点使其成为这些应用中不可或缺的重要组件。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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