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场效应MOS管FQU5N40参数

PD最大耗散功率:45WID最大漏源电流:3.4AV(BR)DSS漏源击穿电压:400VRDS(ON)Ω内阻:1.6ΩVRDS(ON)ld通态电流:1.7AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    FQU5N40是一种功率场效应晶体管(MOSFET),常用于需要高效电力转换和高可靠性的应用场景。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源(SMPS):FQU5N40被广泛应用于初级和次级侧的开关。其高击穿电压和低导通电阻使其在高效能转换中表现优异。由于开关电源需要频繁的开关操作,FQU5N40的低栅极电荷特性有助于减少开关损耗,提高整体效率。

    2. 电动工具:由于FQU5N40具备高功率处理能力和坚固的设计,它在电动工具的电源控制部分有广泛应用。这些工具需要高瞬时电流,FQU5N40的高脉冲电流承受能力使其在这种应用中非常适合。

    3. 不间断电源(UPS):在UPS系统中,FQU5N40用于逆变器部分。其高耐压性和低导通电阻有助于提高逆变器的效率和可靠性,确保电力供应的稳定性。

    4. 电动汽车充电桩:FQU5N40由于其高效率和高可靠性,适用于电动汽车充电桩的高压转换部分。它能够在高电流和高电压条件下稳定工作,确保充电过程的安全和效率。

    5. 工业自动化设备:在工业自动化设备中,FQU5N40被用于各种驱动电路和控制系统。其高耐压、高频率特性使其能够在复杂的工业环境中提供稳定可靠的性能。

    二、参数特点:

    - 击穿电压(Vds):FQU5N40的击穿电压为400V,这意味着它可以在高压环境中安全运行。这个特性使其在高压电源和电动工具等应用中表现突出。

    - 导通电阻(Rds(on)):FQU5N40的典型导通电阻为1.3Ω(在Vgs=10V时)。较低的导通电阻有助于减少功率损耗,提高转换效率,特别是在需要高效能的应用中。

    - 栅极电荷(Qg):FQU5N40的总栅极电荷为45nC,这使得它能够在高频率开关操作中表现良好。低栅极电荷有助于降低开关损耗和提高效率。

    - 脉冲电流(Id):FQU5N40能够承受的最大脉冲电流为32A,这表明它可以处理瞬时高电流需求,非常适合于电动工具和UPS等需要高峰值电流的应用。

    - 热阻(RthJC):FQU5N40的结壳热阻为1.5°C/W,表明其良好的散热性能。良好的热管理特性使其能够在高功率密度的应用中稳定工作,确保器件寿命和可靠性。

    综上所述,FQU5N40凭借其高击穿电压、低导通电阻、低栅极电荷、高脉冲电流承受能力和良好的热管理特性,成为众多高效能、高可靠性应用中的理想选择。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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