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MOS管FQPF85N06参数

PD最大耗散功率:62WID最大漏源电流:53AV(BR)DSS漏源击穿电压:60VRDS(ON)Ω内阻:0.01ΩVRDS(ON)ld通态电流:26.5AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μAGfs(min)S跨导:44SGfs(min)VDS漏源电压:25VGfs(min)lo通态电流:26.5A

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    FQPF85N06是一种常用于电源管理系统的N沟道MOSFET。由于其高耐压、高电流能力和低导通电阻的特点,FQPF85N06被广泛应用于开关电源、DC-DC转换器和不间断电源(UPS)中。特别是在大功率的电源转换设备中,FQPF85N06的表现尤为突出。它的高开关速度使其非常适合在高频率的应用场景中使用,如逆变器和电动汽车的电机控制系统。此外,FQPF85N06在工业自动化设备中也有广泛的应用,因为它能够在苛刻的环境条件下提供可靠的性能。

    一、应用场景:

    1. 开关电源:FQPF85N06在开关电源中用于高效的电能转换,确保设备在不同负载下都能稳定运行。

    2. DC-DC转换器:在DC-DC转换器中,FQPF85N06能够提供快速的开关速度,减少能量损耗,提高转换效率。

    3. 不间断电源(UPS):FQPF85N06在UPS系统中用于电压调节和电源管理,确保在电力中断时设备依然可以正常工作。

    4. 逆变器:由于其高耐压和高电流能力,FQPF85N06在逆变器中用于高效的电能转换,特别适合太阳能和风能发电系统。

    5. 工业自动化设备:FQPF85N06在工业自动化设备中用于驱动电机和控制系统,提供稳定的性能和高效的能量利用。

    二、参数特点:

    - 耐压能力高:FQPF85N06的漏源极耐压高达600V,使其适用于高压应用场景,如高压电源和工业设备。

    - 导通电阻低:其典型的导通电阻为85mΩ,这确保了在高电流下的低功耗,有效减少了热损耗。

    - 高电流能力:FQPF85N06的最大连续漏极电流为60A,这使其能够处理大电流应用,如电机驱动和大功率开关电源。

    - 开关速度快:其开关速度快,减少了开关损耗,提高了系统的效率。此特点尤其在高频开关电源和逆变器中非常重要。

    - 热性能优异:FQPF85N06具有较高的热阻,使其能够在高温环境下稳定运行,并且其封装设计有助于散热,进一步提升了其可靠性。

    综上所述,FQPF85N06凭借其卓越的电气性能和可靠的物理特性,成为了各类高性能电源管理系统和工业设备中的重要元件。在选择适合的功率MOSFET时,FQPF85N06由于其高耐压、高电流能力和低导通电阻等优势,常常成为设计工程师的优选。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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