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MOS管FQPF70N10参数

PD最大耗散功率:160WID最大漏源电流:57AV(BR)DSS漏源击穿电压:100VRDS(ON)Ω内阻:0.023ΩVRDS(ON)ld通态电流:28.5AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μAGfs(min)S跨导:45SGfs(min)VDS漏源电压:40VGfs(min)lo通态电流:28.5A

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    FQPF70N10是一款高性能的功率MOSFET,广泛应用于各种电子设备和电源管理系统中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源(SMPS):在开关电源中,FQPF70N10常用作主开关器件,其高效率和快速开关特性可以显著提高电源转换效率,减少能量损耗。

    2. 电动工具:由于其高功率处理能力和低导通电阻,FQPF70N10非常适合用于电动工具的电机控制部分,提供稳定的电流驱动。

    3. 太阳能逆变器:在太阳能系统中,FQPF70N10用于逆变器电路中,将直流电转换为交流电,其高效能和可靠性对提高系统整体效率至关重要。

    4. 汽车电子:在汽车电子中,FQPF70N10被用于各种控制模块中,如电池管理系统和电动窗控制,其耐高压和高电流能力保障了系统的安全运行。

    5. 工业控制系统:在工业自动化设备中,FQPF70N10用于控制高功率设备的开关,保证了系统的高效运行和可靠性。

    二、参数特点:

    - 导通电阻(RDS(on))低:FQPF70N10的导通电阻非常低,典型值仅为0.015Ω,这意味着在工作时的功率损耗较小,能有效提高系统效率。

    - 耐压高:该器件的漏源电压(VDSS)可达100V,适合用于高压环境,确保在高压条件下仍能稳定工作。

    - 大电流处理能力:FQPF70N10的连续漏极电流(ID)可达70A,能够处理较大功率的负载,适用于需要高电流的应用场景。

    - 快速开关速度:该MOSFET具有快速的开关特性,开关时间短,有助于提高开关电源等应用的工作频率和效率。

    - 热稳定性好:FQPF70N10在高温下仍能保持稳定的电气性能,其结温可达175°C,适用于苛刻的工作环境。

    综上所述,FQPF70N10凭借其出色的性能和广泛的应用场景,成为众多高功率电子设备和系统中的理想选择。在实际应用中,FQPF70N10不仅能提高系统效率,还能保障系统的稳定和可靠运行。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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