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场效应MOS管FQPF5N60C参数

PD最大耗散功率:33WID最大漏源电流:4.5AV(BR)DSS漏源击穿电压:600VRDS(ON)Ω内阻:2.5ΩVRDS(ON)ld通态电流:2.25AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    FQPF5N60C是一款N沟道场效应晶体管,广泛应用于各种电源管理和功率控制系统中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 通信设备:FQPF5N60C 在通信设备中用于功率控制和开关操作。例如,在无线基站、路由器以及其他网络设备中,可以提高整个系统的能效。

    2. 电机驱动:由于FQPF5N60C 具有较高的功率处理能力和较低的导通电阻,因此常被用于电机驱动电路中,例如用于控制直流电机或步进电机的驱动器。

    3. 逆变器:在逆变器电路中,FQPF5N60C可作为功率开关管使用,将直流电转换为交流电,广泛应用于电力电子系统、UPS(不间断电源)等领域。

    4. 照明应用:在高功率LED照明系统中,FQPF5N60C可作为电源管理芯片,用于调节电流和控制灯光亮度,实现高效的照明控制。

    5. 电动汽车充电器:随着电动汽车的普及,FQPF5N60C也被用于电动汽车充电器中,用于功率开关和电源管理,确保充电过程的安全和高效。

    二、参数特点:

    1. 低导通电阻(RDS(on)):FQPF5N60C具有较低的导通电阻,有助于减少功率损耗和提高效率。

    2. 高耐压能力:该器件具有较高的耐压能力,可靠性高,适用于各种高压应用场景。

    3. 高开关速度:FQPF5N60C具有快速的开关特性,响应速度快,适用于高频开关电路。

    4. 可靠的温度特性:温度特性稳定,适用于工作温度范围广泛的环境。

    5. 可靠性和稳定性:FQPF5N60C具有良好的可靠性和稳定性,长期稳定运行,适用于各种工业和商业应用场景。

    综上所述,FQPF5N60C作为一款性能稳定、应用广泛的场效应晶体管,在电源管理、功率控制和电机驱动等领域都有着重要的应用。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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