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MOS管FQPF50N06参数

PD最大耗散功率:130WID最大漏源电流:50AV(BR)DSS漏源击穿电压:60VRDS(ON)Ω内阻:0.023ΩVRDS(ON)ld通态电流:25AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μAGfs(min)S跨导:SGfs(min)VDS漏源电压:VGfs(min)lo通态电流:A

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    FQPF50N06是一种常用于高效率开关电源、电机控制和其他高功率应用的N沟道MOSFET。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源(SMPS):FQPF50N06在开关电源中广泛应用,特别是在电脑、电视和其他电子设备的电源模块中。其高效的开关特性能够有效降低能量损耗,提高电源的整体效率。

    2. 电机控制:在直流电机控制系统中,FQPF50N06能够通过其快速开关能力和高电流处理能力,提供稳定和高效的电机驱动。常见于电动工具、电动车和工业自动化设备中。

    3. 逆变器:在光伏逆变器和风能逆变器中,FQPF50N06的高效率和高耐压特性使其成为理想的选择,能够承受高电压和大电流,同时保证系统的可靠性和稳定性。

    4. 电池管理系统:FQPF50N06常用于电池管理系统中,特别是在电动车和储能系统中。它能够有效控制充放电过程,保护电池免受过充过放的损害,延长电池寿命。

    5. 音频放大器:在高功率音频放大器中,FQPF50N06的低导通电阻和高开关速度能够提供高质量的音频输出,减少失真,提高音质。

    二、参数特点:

    - 最大漏源电压(Vds):FQPF50N06的最大漏源电压为60V,这使其适用于需要中等电压处理能力的应用场景。

    - 最大导通电流(Id):其最大导通电流为50A,能够处理高电流需求的负载,确保设备在高功率条件下的稳定运行。

    - 导通电阻(Rds(on):FQPF50N06的导通电阻低至0.022Ω,这意味着在导通状态下的能量损耗非常低,有助于提高系统的整体效率。

    - 栅极电荷(Qg):该型号的总栅极电荷约为100nC,使其具有较快的开关速度,适合高频应用,减少开关损耗。

    - 工作温度范围:FQPF50N06的工作温度范围为-55°C至175°C,能够在各种严苛的工作环境中稳定运行,具有良好的热稳定性和可靠性。

    - 封装类型:采用TO-220封装,具有良好的散热性能,方便安装和使用。

    综上所述,FQPF50N06以其高效能、低损耗和高可靠性的特点,在各种高功率应用场景中发挥着重要作用。它的广泛应用和优越的性能参数,使其成为众多电子设备和系统设计中的首选元件。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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