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MOS管FQPF34N20参数

PD最大耗散功率:55WID最大漏源电流:11AV(BR)DSS漏源击穿电压:200VRDS(ON)Ω内阻:0.075ΩVRDS(ON)ld通态电流:8.75AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    FQPF34N20是一款常用于高性能电源管理和开关应用的功率MOSFET。这款器件广泛应用于以下几个场景:

    一、应用场景:

    1. 开关电源:FQPF34N20在开关电源中起到关键作用,提供高效的电源转换。其低导通电阻和快速开关特性使其能够在高频率下运行,从而提高整体效率并减少功耗。

    2. 电动汽车充电器:在电动汽车充电器中,FQPF34N20能够处理高电流和高电压环境,确保充电过程的安全性和稳定性。同时,其高效的散热性能能够在高功率充电过程中保持低温运行,延长器件寿命。

    3. 不间断电源(UPS):在UPS系统中,FQPF34N20被用于逆变器和电池管理系统,确保在电网断电时能够稳定提供电力。其高效的电流传输能力和耐用性使其成为UPS系统的理想选择。

    4. 太阳能逆变器:在太阳能发电系统中,FQPF34N20用于逆变器模块,帮助将直流电转换为交流电。其高效的电能转换和低损耗特性能够提高整体系统的发电效率。

    5. 工业自动化设备:FQPF34N20在工业自动化设备中广泛应用,如变频器和伺服驱动器,提供高效稳定的电源管理,确保设备运行的高精度和高可靠性。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻(RDS(on)):FQPF34N20的低导通电阻能够减少电能损耗,提高系统效率。其典型值约为34mΩ,这使得器件在高电流应用中表现出色。

    - 高击穿电压(VDSS):FQPF34N20的击穿电压高达200V,适用于处理高电压环境,确保器件在高压操作下的可靠性和安全性。

    - 快速开关速度:FQPF34N20的开关速度非常快,能够在高频率下工作,适用于需要快速响应的电源管理系统。这一特点有助于减少开关损耗,提高整体系统效率。

    - 高电流承载能力:FQPF34N20能够承载高达34A的电流,适用于需要高电流传输的应用场景,如电动汽车充电器和工业设备。

    - 优异的热管理性能:FQPF34N20具有优良的散热特性,能够在高功率应用中保持低温运行。这有助于延长器件寿命,并确保系统的稳定性和可靠性。

    综上所述,FQPF34N20凭借其低导通电阻、高击穿电压、快速开关速度、高电流承载能力和优异的热管理性能,成为了开关电源、电动汽车充电器、不间断电源、太阳能逆变器和工业自动化设备等领域的理想选择。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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