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MOS管FQPF33N10参数

PD最大耗散功率:41WID最大漏源电流:18AV(BR)DSS漏源击穿电压:100VRDS(ON)Ω内阻:0.052ΩVRDS(ON)ld通态电流:9AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μAGfs(min)S跨导:20SGfs(min)VDS漏源电压:40VGfs(min)lo通态电流:9A

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    FQPF33N10是一种N沟道功率MOSFET,广泛应用于各种电子设备和电力转换系统中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理系统:在DC-DC转换器和AC-DC转换器中,FQPF33N10常用于开关电路,帮助实现高效的能量转换和稳压功能。其低导通电阻和快速开关特性使其在电源管理系统中表现出色。

    2. 电动机控制:在电动机驱动电路中,FQPF33N10能够提供高效的电流控制和开关操作,常用于电动工具和电动汽车等领域,帮助提升电动机的性能和效率。

    3. 消费电子产品:例如在电视、电脑和手机充电器中,FQPF33N10被用于功率放大和开关电路,确保设备的高效运行和稳定性能。

    4. 太阳能逆变器:在光伏系统中,FQPF33N10可以用作逆变器的开关器件,帮助将太阳能板产生的直流电转换为交流电,供给家庭或电网使用。

    5. 电池管理系统:在电动汽车和储能系统的电池管理中,FQPF33N10被用于充放电控制电路,确保电池的安全和高效运行。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻(RDS(on)):FQPF33N10的低导通电阻确保了在工作时的能量损耗最小,提高了系统的整体效率。例如,其典型导通电阻值为0.045Ω,在10V栅极电压下。

    - 高击穿电压(VDSS):FQPF33N10的击穿电压高达100V,使其适用于高电压应用,增加了器件的安全裕度。

    - 大电流处理能力:FQPF33N10能处理高达33A的连续漏极电流,适合大功率电路中的应用,确保器件在高负载情况下仍能稳定工作。

    - 快速开关速度:FQPF33N10的栅极电荷较低,开关速度快,能够实现高频操作,这在电源转换和电动机控制中尤为重要。

    - 热性能:FQPF33N10具有良好的热性能,能够在较宽的温度范围内稳定工作,最高结温可达175°C,这在苛刻的工业环境中尤为关键。

    综上所述,FQPF33N10凭借其低导通电阻、高击穿电压、大电流处理能力、快速开关速度和优异的热性能,成为多种应用场景中的理想选择。无论是电源管理、电动机控制还是消费电子产品,FQPF33N10都能提供可靠、高效的解决方案。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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