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场效应MOS管FQPF15P12参数

PD最大耗散功率:41WID最大漏源电流:-15AV(BR)DSS漏源击穿电压:-120VRDS(ON)Ω内阻:0.2ΩVRDS(ON)ld通态电流:-7.5AVRDS(ON)栅极电压:-10VVGS(th)V开启电压:-2~-4VVGS(th)ld(μA)开启电流:-250μA

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    FQPF15P12是一种N沟道功率MOSFET,被广泛应用于各种电子设备和电源管理系统中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源:FQPF15P12常用于开关电源中,充当高效开关器件。其快速开关速度和低导通电阻使其在提高电源效率和减少热损耗方面表现出色。

    2. 电动工具:在电动工具中,FQPF15P12被用作驱动电机的开关器件。其高电流处理能力和耐用性使其能够在高负载和严苛环境下工作,确保工具的稳定运行。

    3. 电动汽车:FQPF15P12在电动汽车的电池管理系统和电机驱动中发挥重要作用。它能够高效地管理大电流,帮助提高电池利用率和车辆的整体性能。

    4. 太阳能逆变器:太阳能逆变器需要高效的功率转换器件,FQPF15P12因其低导通电阻和高效率被广泛应用于此类设备中,帮助提高太阳能系统的整体效率。

    5. 消费电子产品:在各种消费电子产品中,如电视、电脑、充电器等,FQPF15P12用于电源管理和信号控制,确保设备的稳定性和高效能耗管理。

    二、参数特点:

    1. 最大漏源电压(Vds):FQPF15P12的最大漏源电压为150V,这意味着它可以在较高电压下工作,适用于需要高压操作的场景。

    2. 最大漏极电流(Id):其最大漏极电流为13A,允许FQPF15P12处理大电流,使其适合高功率应用,如电动工具和电动汽车。

    3. 导通电阻(Rds(on):FQPF15P12的导通电阻典型值为0.24Ω,这一低电阻值意味着它在导通时产生的功率损耗较小,从而提高整体系统的效率。

    4. 栅极阈值电压(Vgs(th):FQPF15P12的栅极阈值电压范围为2V到4V,这表明它在较低电压下即可开启,有助于降低驱动电路的复杂性和功耗。

    5. 总栅电荷(Qg):FQPF15P12的总栅电荷为45nC,这一较低的栅电荷使其能够实现快速开关,适用于高频率操作的应用。

    综上所述,FQPF15P12因其高电压、高电流处理能力、低导通电阻和快速开关特性,广泛应用于各种需要高效能和可靠性的电子设备和电源管理系统中。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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