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场效应MOS管FQPF13N50C参数

PD最大耗散功率:48WID最大漏源电流:13AV(BR)DSS漏源击穿电压:500VRDS(ON)Ω内阻:0.48ΩVRDS(ON)ld通态电流:6.5AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    FQPF13N50C是一款N沟道场效应晶体管(MOSFET),具有广泛的应用场景和特点。以下是它的应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理系统:FQPF13N50C可用于电源开关和稳压器中,帮助实现高效的能量转换和电源管理。

    2. 驱动器和放大器:在各种电路中,如驱动电路和信号放大器中,FQPF13N50C可以用作开关和放大器的关键组件,实现信号处理和控制。

    3. 照明系统:在LED驱动器和照明系统中,FQPF13N50C能够提供高效的电源转换和控制,帮助实现亮度调节和能量节省。

    4. 电机控制:用于直流电机控制和变频器中,FQPF13N50C可以实现高效的电机控制和驱动,提高系统的性能和效率。

    5. 汽车电子:在汽车电子系统中,如点火系统和动力管理中,FQPF13N50C可用于实现高压和高电流的开关和控制。

    二、参数特点:

    1. 低导通电阻(RDS(on)):FQPF13N50C具有低的导通电阻,有助于降低功率损耗和提高效率。

    2. 高耐压能力:作为场效应晶体管,FQPF13N50C能够承受较高的电压,适用于各种高压应用场景。

    3. 快速开关特性:具有快速的开关速度和响应时间,有助于提高系统的动态性能和响应速度。

    4. 温度稳定性:FQPF13N50C在不同温度下的性能稳定,适用于各种环境条件下的工作。

    5. 可靠性和耐用性:经过严格的测试和质量控制,FQPF13N50C具有良好的可靠性和耐用性,适用于长期稳定的工作环境。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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