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场效应MOS管FQP9N65C参数

PD最大耗散功率:125WID最大漏源电流:9AV(BR)DSS漏源击穿电压:650VRDS(ON)Ω内阻:1.1ΩVRDS(ON)ld通态电流:5.1AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    FQP9N65C是一款功率场效应晶体管(MOSFET),广泛应用于电力电子设备中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 通信设备:FQP9N65C 在通信设备中用于提高功率转换效率和稳定性,如在基站和网络设备中广泛使用。

    2. 工业电子:在工业控制系统、电力供应单元等设备中,FQP9N65C能够有效管理电力传输和转换过程。

    3. 电动工具:应用于各类电动工具的电源管理模块中,确保设备在高负载下的稳定性和效率。

    4. 汽车电子:在车载电子控制单元(ECU)和电动汽车系统中,FQP9N65C用于控制和管理电动机及电源系统。

    5. 太阳能应用:在太阳能逆变器和电池管理系统中,FQP9N65C提供高效的能量转换和管理解决方案。

    二、参数特点:

    一)导通电阻低:FQP9N65C具有低导通电阻,有效降低功率损耗,提升能效。

    二)高电压和电流承受能力:适用于高电压和大电流负载,保证设备在极端工作条件下的稳定性。

    三)优良的热特性:能有效散热,延长器件寿命,提高系统可靠性。

    四)适用于复杂环境:FQP9N65C在各种环境条件下均表现出色,适合要求高可靠性和长期稳定运行的应用场景。

    综上所述,FQP9N65C不仅是一款性能卓越的功率MOSFET,其在电力电子领域的广泛应用和出色的电气特性,使其成为市场上的重要选择。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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