PD最大耗散功率:125WID最大漏源电流:9AV(BR)DSS漏源击穿电压:600VRDS(ON)Ω内阻:1.2ΩVRDS(ON)ld通态电流:6AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA
立即咨询一、应用场景:
1. 电源管理系统:FQP9N60C在电源开关和稳压器中广泛应用。它能够有效地控制和调节电流,适用于各种功率需求的应用。
2. 电动车辆:在电动汽车和混合动力汽车的控制电路中,FQP9N60C作为关键组件,帮助实现电池管理和驱动系统的效率优化。
3. 工业自动化:用于工厂自动化系统中的电机控制和电源逆变器,确保设备的高效运行和可靠性。
4. LED照明:在LED驱动器中,FQP9N60C能够提供稳定的电流和亮度调节,以满足不同照明需求。
5. 太阳能逆变器:在太阳能发电系统的逆变器中,FQP9N60C帮助将直流电转换为交流电,以供电网使用。
二、参数特点:
- 低导通电阻(R_DS(on)):确保在工作时产生较少的热量损失,提高效率和可靠性。
- 高电流承受能力:能够承受较高的电流,适合于大功率应用,如电机驱动和电源开关。
- 低开启电压(V_gs(th)):保证在控制信号下快速开启和关闭,提供精确的电流调节能力。
- 良好的温度特性:在广泛的工作温度范围内表现稳定,适应各种环境条件。
- 可靠的耐压能力:具备良好的耐压特性,确保在高电压环境下的安全运行。
综上所述,FQP9N60C作为一款功能强大的MOSFET,在多个领域中发挥着重要作用。其优秀的性能和可靠性使其成为工程设计中的理想选择。
工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
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