收藏壹芯微 | 在线留言| 网站地图

您好!欢迎光临壹芯微科技品牌官网

壹芯微

深圳市壹芯微科技有限公司二极管·三极管·MOS管·桥堆

全国服务热线:13534146615

壹芯微二极管
首页 » 壹芯微产品中心 » 三极管 » 场效应管 » 场效应MOS管FQP9N50C参数

场效应MOS管FQP9N50C参数

PD最大耗散功率:44WID最大漏源电流:9AV(BR)DSS漏源击穿电压:500VRDS(ON)Ω内阻:0.85ΩVRDS(ON)ld通态电流:4.5AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

立即咨询


    FQP9N50C是一款功率场效应晶体管(MOSFET),广泛应用于各种电源管理和电气控制领域。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 通信设备:FQP9N50C在通信设备中用于功率控制和开关电路的管理。例如,在无线基站和网络设备中,可以提供高效的电源管理和稳定的功率输出。

    2. 汽车电子:作为车辆电子系统的一部分,FQP9N50C用于电动车充电器和驱动控制单元(ECU),确保电动车的高效运行和稳定性。

    3. 工业控制:在工业自动化系统中,FQP9N50C用作电机驱动器和电源逆变器的关键组成部分,支持设备的精准控制和高效能量转换。

    4. 电源适配器:用于各类电子设备的电源适配器中,FQP9N50C通过其高效的开关特性和稳定的电流输出,保证设备的安全运行。

    5. LED照明:在LED照明系统中,FQP9N50C作为电源管理的一部分,确保LED灯具的稳定供电和功率调节。

    二、参数特点:

    1. 低导通电阻:FQP9N50C具有低导通电阻,有效减少功率损耗,提升电路效率。

    2. 高耐压能力:具备较高的耐压能力,能够在高压环境下稳定工作。

    3. 快速开关特性:响应速度快,支持快速开关和电流调节,适用于动态电路控制。

    4. 优良的热特性:良好的热导性能和散热设计,有效降低温升,保证长时间稳定运行。

    5. 可靠性高:经过严格测试验证,具备良好的长期稳定性和可靠性,适合工业和商业应用。

    综上所述,FQP9N50C作为一款功能强大的功率MOSFET晶体管,不仅广泛应用于通信、汽车电子和工业控制等领域,其优异的电气特性和稳定性能使其成为电源管理和电路控制中不可或缺的组成部分。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

    扫一扫!

    深圳市壹芯微科技有限公司 版权所有 | 备案号:粤ICP备2020121154号