收藏壹芯微 | 在线留言| 网站地图

您好!欢迎光临壹芯微科技品牌官网

壹芯微

深圳市壹芯微科技有限公司二极管·三极管·MOS管·桥堆

全国服务热线:13534146615

壹芯微二极管
首页 » 壹芯微产品中心 » 三极管 » 场效应管 » 场效应MOS管FQP9N25C参数

场效应MOS管FQP9N25C参数

PD最大耗散功率:74WID最大漏源电流:8.8AV(BR)DSS漏源击穿电压:250VRDS(ON)Ω内阻:0.43ΩVRDS(ON)ld通态电流:4.4AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

立即咨询


    FQP9N25C是一款功率场效应晶体管(Power MOSFET),广泛应用于各种电源管理和电力控制系统中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源逆变器:在逆变器电路中,FQP9N25C通过其低导通电阻和高耐压特性,有效地实现电能的转换和管理。适用于家用和工业逆变器系统。

    2. 电动汽车充电器:在电动车充电系统中,FQP9N25C可以用作开关管,控制充电过程中的电流和电压,保证充电效率和安全性。

    3. 电源管理单元:作为电源管理电路的一部分,FQP9N25C可以用于稳压和开关电源,提供稳定的电力输出并提升效率。

    4. 照明系统:应用于LED驱动电路中,FQP9N25C能够有效控制LED的亮度和电流,提高照明系统的能效和可靠性。

    5. 工业自动化:在工业控制系统中,FQP9N25C被广泛应用于电机驱动和开关电源单元,用以提升系统的响应速度和能效。

    二、参数特点:

    1. 低导通电阻:典型值仅为几分之一欧姆,确保在开关状态时减少功耗和热损失。

    2. 高耐压特性:具有较高的漏极-源极耐压,适用于高压电路设计,提供可靠的电气隔离和安全性。

    3. 优良的开关特性:快速开关速度和低开关损耗,适合高频开关电源设计,提高系统的效率和响应速度。

    4. 良好的温度稳定性:在广泛的工作温度范围内保持稳定的电气性能,适用于各种环境条件下的长时间运行。

    5. 可靠的电气参数:经过严格的质量控制和测试,保证其长期稳定的电气性能和可靠性。

    综上所述,FQP9N25C作为一款性能优越的功率 MOSFET,广泛应用于电力电子和控制系统中,为各种应用提供了可靠的电力管理和控制解决方案。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

    扫一扫!

    深圳市壹芯微科技有限公司 版权所有 | 备案号:粤ICP备2020121154号