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场效应MOS管FQP8N90C参数

PD最大耗散功率:147WID最大漏源电流:8AV(BR)DSS漏源击穿电压:900VRDS(ON)Ω内阻:1.55ΩVRDS(ON)ld通态电流:4AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    FQP8N90C是一款N沟道场效应晶体管(MOSFET),常用于各种电源和功率控制电路中。它具有以下特点:

    一、应用场景:

    1. 电源开关:FQP8N90C在电源开关电路中发挥重要作用,用于控制电流和功率分配。

    2. 逆变器:FQP8N90C可以用于逆变器电路中,实现直流到交流的转换,广泛应用于UPS电源等领域。

    3. 电机驱动器:在电机控制系统中,FQP8N90C负责驱动电机,控制电机的启停和转速。

    4. 高压电源:用于需要高电压输出的场合,如电子设备中的高压电源模块,FQP8N90C可以提供可靠的功率控制。

    5. 变频器:在工业自动化控制系统中,FQP8N90C可以用于变频器电路中,实现电机转速的调节和控制。

    二、参数特点:

    1. 高功率处理能力:FQP8N90C能够处理较高功率,适用于需要大电流和高电压的应用场景。

    2. 低导通电阻:这款MOSFET具有较低的导通电阻,能够有效减少功率损耗,提高电路的效率。

    3. 快速开关特性:FQP8N90C具有快速的开关特性,能够实现高频率的开关操作。

    4. 高可靠性和稳定性:采用了先进的制造工艺和材料,FQP8N90C具有良好的可靠性和稳定性。

    5. 广泛的温度范围:FQP8N90C在较广的温度范围内工作稳定,适用于各种温度条件下的应用场景。

    综上所述,FQP8N90C是一款功能强大的MOSFET,适用于各种功率控制和电源管理电路中,其优秀的性能和可靠性使其成为许多电子设备中不可或缺的组成部分。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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