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场效应MOS管FQP8N80C参数

PD最大耗散功率:178WID最大漏源电流:8AV(BR)DSS漏源击穿电压:800VRDS(ON)Ω内阻:1.55ΩVRDS(ON)ld通态电流:4AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    FQP8N80C是一款功率场效应晶体管(Power MOSFET),广泛用于电子和电气领域,为各种应用提供稳定、高效的电力控制解决方案。

    一、应用场景:

    1. 电源管理:FQP8N80C在开关电源和稳压器中能有效控制电流和电压,提高能效比。

    2. 电动工具:用作电动工具中的开关和调节器,支持高效率的功率转换和稳定的电流输出。

    3. 汽车电子:在车载电子设备如发动机控制单元(ECU)和电动汽车控制器中,FQP8N80C能承受高电压和大电流,确保系统稳定安全。

    4. 照明应用:FQP8N80C应用于LED驱动和照明系统,减少能耗提升照明质量。

    5. 工业自动化:用于工业设备的电源开关和控制单元,支持高频开关和长时间稳定运行。

    二、参数特点:

    - 电压额定值(VDS):FQP8N80C具有8V的高电压承受能力。

    - 电流容量(ID):FQP8N80C支持高达80A的电流输出,适用于大功率需求。

    - 导通电阻(RDS(on)):低至0.8Ω,提供低损耗和高效能的特性。

    - 功率耗散(PD):在适当的散热条件下,FQP8N80C支持长时间高功率操作。

    - 封装类型:TO-220封装,便于安装和散热。

    综上所述,FQP8N80C作为一款先进的功率MOSFET,通过其优异的电性能和可靠性,广泛应用于电子和电气领域,为各种应用提供稳定、高效的电力控制解决方案。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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