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场效应MOS管FQP7N80C参数

PD最大耗散功率:56WID最大漏源电流:7AV(BR)DSS漏源击穿电压:800VRDS(ON)Ω内阻:2ΩVRDS(ON)ld通态电流:6AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    FQP7N80C是一款功率场效应晶体管(MOSFET),广泛应用于保护电子设备免受电压波动的影响。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理系统:在开关电源和电源适配器中,FQP7N80C能有效地控制和调节电流和电压,提高系统的效率和稳定性。

    2. 电动汽车充电器:由于其高功率和低导通电阻,FQP7N80C在电动汽车充电器中扮演重要角色,能够高效地转换和传输电能。

    3. 工业自动化设备:在工业控制系统中,FQP7N80C被广泛用于驱动电机、控制电压和电流,保证设备的稳定运行和高效能输出。

    4. LED照明:作为LED驱动电路的关键部件,FQP7N80C能够提供稳定的电流和电压输出,确保LED灯具的长寿命和高效能。

    二、参数特点:

    - 高功率处理能力:FQP7N80C能够处理高达7A的电流,适合高功率应用场合。

    - 低导通电阻:在开启状态下,FQP7N80C的导通电阻极低,有效减少功率损耗和热量产生。

    - 低开启电压:FQP7N80C具有低开启电压,能够快速响应电路控制信号,提高系统的动态响应能力。

    - 高温工作能力:能够在高温环境下稳定工作,适合要求严格的工业应用场景。

    - 耐压能力强:FQP7N80C具有较高的耐压能力,能够承受大电压冲击,保证系统的稳定性和安全性。

    综上所述,FQP7N80C作为一款功能强大的功率MOSFET,不仅在电源管理和工业控制领域有着广泛的应用,其优秀的电气特性也使其成为许多高性能电子设备中不可或缺的组成部分。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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