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场效应MOS管FQP7N65C参数

PD最大耗散功率:142WID最大漏源电流:7AV(BR)DSS漏源击穿电压:650VRDS(ON)Ω内阻:1.35ΩVRDS(ON)ld通态电流:3.5AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    FQP7N65C是一款功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),具有广泛的应用场景和优秀的参数特点。

    一、应用场景:

    1. 通信设备:在无线基站、路由器等设备中,FQP7N65C用于功率控制和转换。

    2. 电源管理:FQP7N65C被广泛应用于开关电源和逆变器电路中,提供高效能的电能转换。

    3. 汽车电子:在电动车辆的电动控制系统中,FQP7N65C作为功率开关器件,用于电池管理和电动机控制。

    4. 工业自动化:在工业自动化设备中,FQP7N65C用于高效能电力转换和马达控制,提升设备运行效率。

    5. 可再生能源:在太阳能逆变器和风能转换系统中,FQP7N65C用于电能转换和功率优化,提高能源利用效率。

    二、参数特点:

    1. 高效能转换:FQP7N65C采用先进的MOSFET技术,具有低导通电阻和高频特性,能够提供高效率的能量转换。

    2. 稳定性和可靠性:设计优化确保了在高电压和高电流条件下的稳定性和可靠性。

    3. 高速开关特性:具备快速响应和精确控制能力,适用于需要高频率操作的应用场合。

    4. 低功耗:低开关损耗和导通损耗,即使在高频率运行时也能保持低温升。

    5. 封装和热管理:先进的封装技术和热管理设计确保了FQP7N65C在各种环境条件下的长期稳定性和可靠性。

    综上所述,FQP7N65C作为一款先进的功率MOSFET,不仅在能源转换效率和性能上具备显著优势,而且在通信、电源管理、汽车电子、工业自动化和可再生能源等多个领域都有着重要应用。其优秀的技术特性和可靠性使其成为工程师和设计者首选的功率器件之一。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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