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场效应MOS管FQP6N90C参数

PD最大耗散功率:167WID最大漏源电流:6AV(BR)DSS漏源击穿电压:900VRDS(ON)Ω内阻:2.3ΩVRDS(ON)ld通态电流:3.1AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    FQP6N90C是一款N沟道功率场效应晶体管(MOSFET),具有优秀的导电性能和耐压特性,适用于多种电力控制和转换应用。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理系统:FQP6N90C在电源开关和DC-DC变换器中广泛应用,能够有效控制电流和电压,提高能量转换效率。

    2. 电机驱动:作为电机控制电路的关键部件,FQP6N90C能够承受高功率负载,稳定可靠,适用于工业和汽车电动系统。

    3. 照明系统:在LED驱动电路中,FQP6N90C能够有效控制LED的亮度和电流,提供稳定的照明效果。

    4. 电动工具:用于电动工具的电源控制单元,能够处理大电流和高频率开关操作,确保设备的高效运行。

    5. 太阳能逆变器:在太阳能电池逆变器中,FQP6N90C作为关键的功率开关器件,能够处理高频率的电能转换,提高太阳能系统的整体效率。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻:具有低导通电阻特性,能够在导通状态下实现较低的功率损耗。

    - 高耐压能力:设计能够承受高达900V的电压,适合应对高压电路环境下的稳定工作。

    - 快速开关速度:响应快速的开关速度,能够有效减少开关过程中的能量损耗和电磁干扰。

    - 可靠的热特性:具备良好的散热设计,确保在高负载条件下保持稳定的工作温度。

    - 符合环保要求:符合RoHS指令,无铅封装,环保且符合国际标准。

    通过以上详细的分析,可以看出FQP6N90C作为一款高性能的N沟道MOSFET,在多种工业和电子应用中都具有广泛的应用前景和技术优势。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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