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场效应MOS管FQP6N50C参数

PD最大耗散功率:31WID最大漏源电流:6.6AV(BR)DSS漏源击穿电压:500VRDS(ON)Ω内阻:1.0ΩVRDS(ON)ld通态电流:4AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    FQP6N50C是一款N沟道场效应晶体管,广泛应用于各种电源管理和电力转换系统中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源逆变器:FQP6N50C在电源逆变器中扮演着重要角色,通过其优异的开关性能和低导通电阻,实现高效率的电能转换。

    2. 开关电源:在各类开关电源设备中,FQP6N50C被广泛用作主开关管,能够有效控制电流和功率传输,提升设备的性能和稳定性。

    3. 电机驱动器:作为电机驱动器的关键部件,FQP6N50C能够在电动工具、电动汽车等领域中提供可靠的功率开关支持,确保设备高效运行。

    4. 电源管理:在各类电源管理系统中,FQP6N50C的低开启电压和高速开关特性,使其成为稳压器和开关稳压器的理想选择,有效降低能量损耗。

    5. 照明应用:在LED驱动和其他照明应用中,FQP6N50C能够提供精确的电力控制,帮助实现节能和高亮度的照明效果。

    二、参数特点:

    - 主要参数:FQP6N50C的主要技术指标包括承受电压(如其50V的额定电压)、最大导通电阻(通常在几欧姆以下)、额定电流和功率处理能力。

    - 工作温度范围:适用于广泛的工作温度范围,通常从-55°C到+150°C,适合各种环境条件下的应用。

    - 包装形式:常见的封装包括TO-220或者更先进的功率封装,确保散热和安装的便利性。

    - 特性优势:低开启电压、高速开关、低开通电阻等特性,使得FQP6N50C在高频率和高效率应用中表现突出。

    总结来说,FQP6N50C作为一款性能稳定、应用广泛的N沟道场效应晶体管,不仅适用于电源管理和转换系统,还在电动工具、照明和电动车辆等领域展示了其独特的优势和应用潜力。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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