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MOS管FQP65N06参数

PD最大耗散功率:150WID最大漏源电流:65AV(BR)DSS漏源击穿电压:60VRDS(ON)Ω内阻:0.016ΩVRDS(ON)ld通态电流:39AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μAGfs(min)S跨导:100SGfs(min)VDS漏源电压:25VGfs(min)lo通态电流:32.5A

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    FQP65N06是一种非常受欢迎的N沟道增强型功率MOSFET,广泛应用于各种电子和电气设备中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源(SMPS):在开关电源中,FQP65N06常用作高效开关器件,其快速开关能力和低导通电阻使其能够在高频操作下表现出色,从而提高电源的整体效率。

    2. 电机驱动:在电机控制电路中,FQP65N06被用于控制电机的启动、停止和速度调节。它能够承受高电流和高电压,使其在驱动直流电机和无刷电机时表现稳定可靠。

    3. 太阳能逆变器:在太阳能发电系统中,FQP65N06常用于逆变器部分,通过高效的电能转换,将直流电转换为交流电。其高电流处理能力和低损耗特性,使其成为逆变器电路中的理想选择。

    4. 电池管理系统:在电池管理系统中,FQP65N06用于电池充放电管理,能够高效地控制电池的充电过程和保护电池免受过流、过压的损害。

    5. 音频放大器:在高保真音频放大器中,FQP65N06用于功率放大部分,因其低失真和高效率,能够提升音频系统的整体表现。

    二、参数特点:

    - 最大漏源电压(Vds)为60V:这使得FQP65N06能够在较高电压下操作,适用于各种高电压应用场景。

    - 最大连续漏极电流(Id)为60A:FQP65N06具有高电流处理能力,能够在大电流环境中工作,非常适合电机驱动和大功率转换应用。

    - 低导通电阻(Rds(on))为8mΩ:导通电阻的降低意味着在开关过程中损耗更低,热量产生也相对减少,这使得FQP65N06在高效能设备中表现优越。

    - 快速开关速度:FQP65N06具有快速的开关能力,使其在高频应用中能够有效减少开关损耗,从而提高整体系统的效率。

    - 增强型设计:作为一种增强型MOSFET,FQP65N06在栅极电压为0时处于关断状态,这一特性使得电路设计更加简单和安全,避免了意外的导通情况。

    综上所述,FQP65N06以其优异的电气特性和广泛的应用场景,成为众多工程师在设计高效能电路时的首选器件。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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