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场效应MOS管FQP60N06C参数

PD最大耗散功率:120WID最大漏源电流:60AV(BR)DSS漏源击穿电压:60VRDS(ON)Ω内阻:0.018ΩVRDS(ON)ld通态电流:30AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    FQP60N06C是Fairchild Semiconductor公司生产的一款N沟道增强型MOSFET。它在许多应用场景中都能发挥重要作用,主要因为其优越的电气特性和可靠性。

    一、应用场景:

    1. 电源管理系统:FQP60N06C常用于电源管理系统中,特别是在开关电源(SMPS)和直流-直流转换器(DC-DC Converter)中。其低导通电阻和快速开关速度使其在高效能量转换中表现优异。

    2. 电机控制:在电机驱动和控制电路中,FQP60N06C被广泛应用。它能够有效控制大电流的流动,同时其高耐压特性保证了电机在高压下的稳定运行。

    3. 电动工具:电动工具需要高功率、高效能的元件来确保其性能和耐用性。FQP60N06C因其出色的功率处理能力和热性能,成为此类应用的理想选择。

    4. 太阳能系统:在太阳能发电系统中,FQP60N06C用于逆变器和电池管理系统中。其高效能和低损耗特点,有助于提高整个系统的能效。

    5. 汽车电子:FQP60N06C在汽车电子系统中也有广泛应用,特别是在车载充电器和电池管理系统中。其可靠性和耐用性确保了汽车电子设备的稳定运行。

    二、参数特点:

    - 导通电阻(R_DS(on)):FQP60N06C具有极低的导通电阻(最大值为0.022Ω),这使得它在导通时损耗极小,从而提高了整个电路的效率。

    - 漏源电压(V_DS):该器件的最大漏源电压为60V,适用于中等电压范围的应用。这个特性使FQP60N06C在许多电源管理和转换应用中非常适用。

    - 连续漏极电流(I_D):FQP60N06C能够承受高达60A的连续漏极电流,这使得它可以在大功率应用中稳定工作,不易过热。

    - 栅极电荷(Q_g):其栅极电荷为100nC,意味着FQP60N06C在开关过程中需要较低的驱动电流,有助于降低控制电路的复杂性和功耗。

    - 热阻(RθJC):FQP60N06C的结到外壳热阻仅为1.0°C/W,这意味着它能够有效地散热,确保在高功率应用中的稳定性和可靠性。

    综上所述,FQP60N06C凭借其低导通电阻、高电流处理能力和优良的热性能,广泛应用于电源管理、电机控制、电动工具、太阳能系统和汽车电子等领域。其卓越的电气特性和可靠性,使得它成为许多高要求应用中的首选器件。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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