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场效应MOS管FQP5P20参数

PD最大耗散功率:75WID最大漏源电流:-4.8AV(BR)DSS漏源击穿电压:-200VRDS(ON)Ω内阻:1.4ΩVRDS(ON)ld通态电流:-2.4AVRDS(ON)栅极电压:-10VVGS(th)V开启电压:-3~-5VVGS(th)ld(μA)开启电流:-250μA

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    FQP5P20是一种功率MOSFET,主要应用在各种电子设备的电源管理和开关电路中。本文将详细介绍FQP5P20的应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理:FQP5P20广泛用于电源管理系统中,尤其是在直流-直流转换器(DC-DC Converter)和开关电源(Switching Power Supply)中。其低导通电阻和高效率特性使其非常适合高效能量转换的场合。

    2. 电动工具:在电动工具的控制电路中,FQP5P20作为开关器件使用,能够有效地管理电机的启动和停止。其高电流处理能力确保了在高负载下的可靠性。

    3. 音频放大器:FQP5P20也常用于音频放大器电路中。它的低电容和高开关速度有助于减少失真,提升音频放大器的性能。

    4. 汽车电子:在汽车电子中,FQP5P20用于控制系统如电动窗、座椅调节器和照明系统。其高耐压特性和坚固耐用的设计使其能够在严苛的汽车环境中稳定运行。

    5. 通信设备:FQP5P20在通信设备中也有应用,特别是在射频功率放大器(RF Power Amplifier)和基站电源模块中。它的高频性能和低损耗特性有助于提升通信设备的效率和信号质量。

    二、参数特点:

    - 电压和电流能力:FQP5P20的漏源极电压(V_DS)为200V,能够处理较高的电压负载。同时,它的连续漏极电流(I_D)为5A,峰值脉冲电流(I_DM)更是高达20A,适用于各种高电流应用。

    - 导通电阻:FQP5P20的导通电阻(R_DS(on))非常低,仅为0.14欧姆,这意味着在导通状态下的能量损耗较小,提升了整体电路的效率。

    - 栅极阈值电压:FQP5P20的栅极阈值电压(V_GS(th))为2-4V,这使其能够在较低的栅极驱动电压下开启,适合低电压控制应用。

    - 输入电容和输出电容:FQP5P20的输入电容(C_iss)为370pF,输出电容(C_oss)为55pF,这些参数确保了其在高速开关应用中的快速响应能力。

    - 功耗和热阻:FQP5P20的最大功耗为50W,热阻(R_θJA)为62.5°C/W,配合良好的散热设计能够有效管理热量,确保器件在高功率应用中的稳定性。

    综上所述,FQP5P20是一款高性能的功率MOSFET,其广泛的应用场景和优越的参数特点使其在多个领域中表现出色。无论是在电源管理、电动工具、音频放大器、汽车电子还是通信设备中,FQP5P20都能提供高效可靠的解决方案。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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