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场效应MOS管FQP5N90C参数

PD最大耗散功率:125WID最大漏源电流:5AV(BR)DSS漏源击穿电压:900VRDS(ON)Ω内阻:2.8ΩVRDS(ON)ld通态电流:2.5AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    FQP5N90C是一款功率场效应晶体管(MOSFET),广泛应用于各种电源管理和功率放大电路中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 通用功率放大电路:FQP5N90C在功率放大器中具有重要应用,可提供稳定且高效的功率放大能力。

    2. 电机驱动:FQP5N90C适用于电机控制电路,能够处理大电流负载,提供可靠的电机驱动性能。

    3. 开关电源:FQP5N90C在开关电源电路中,由于其低导通电阻和高开关速度,能有效降低功率损耗,提高电路效率。

    4. 工业自动化:用于工业控制系统中的电源管理和电机控制,FQP5N90C能够稳定处理工业环境中的功率需求。

    5. 汽车电子:在车辆电子系统中,FQP5N90C被广泛应用于电动汽车控制、电池管理系统等关键部件的功率控制。

    二、参数特点:

    1. 低导通电阻:FQP5N90C具有较低的漏极-源极导通电阻(RDS(on)),能在高频和高功率情况下保持稳定的电压降低。

    2. 良好的热特性:具备良好的热特性,能够在高温环境下长时间稳定工作,适用于工业和汽车电子系统。

    3. 宽广的栅极电压范围:FQP5N90C的栅极电压(Vgs)范围广泛,适用于多种控制电路设计,提供灵活的电路应用方案。

    4. 高电流承载能力:能够稳定处理大电流负载和瞬态电流冲击,保证电路在高负载下的稳定性和可靠性。

    5. 高效能耗比:FQP5N90C在功率管理电路中的低开通电阻和高开关速度,有助于降低电路损耗,提高系统能效。

    综上所述,FQP5N90C作为一款性能优越的功率MOSFET,在电源管理和功率放大领域有着广泛应用。其优异的技术参数和多样化的应用场景,使其成为电子工程师设计中不可或缺的重要元件之一。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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